Физические величины - Бабичев А.Н.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка):
Таблица 25. 15. Ширина запрещенной зоны Egt сродство к электрону і и порог фотоэмиссии Av0 различных полупроводниковых материалов [16]
Продолжение табл. 25. 15
Материал Egt Ж г. эв ftvo,3В
Антимонид:
галлия 0,7 4,1 5,5
индия 0,2 4,6 4,8
магния 0,8 3,0 3,8
Арсенид галлия 1,4 4,1 5,5
Арсенид индия 0,4 4,9 5,3
Аурит цезия 2,6 1.4 3.5 4
Бромид серебра 2,5 6
Германий 0,7 4,2 4,9
Иодид:
калия 6,2 1,1 7,3
ЛИТИЯ 5,9 1,4 7,3
меди 3 3 6
натрия 5,8 1,5 7,3
рубидия 6,1 1,2 7,3
цезия 6,3 0,1 6,4
Карбид кремния:
гексагональный 2,9 4,1 7
кубический 2,2 4,8 7
Кремний Оксид бария Оксид магния Селен
Селенид кадмия Сульфид кадмия Сульфид свинца Теллур Теллур ид: висмута кадмия свинца рубидия цезия Титанат бария Фторид лития Фосфид индия Хлорид серебра
1,1
3,7
8.7
1.8 1,7
2.4 0,4 0.3
0,1
1.5 0,3 3,3 3,3 2,7
12 1,3 3
576 Таблица 25.16. Свойства фотокатодов иа основе антимонидов щелочных металлов [15, 16, 40, 41]
Фотокатод К ристаллическая структура Vm Xg, HM S, мкА/лм Bgt ЭВ г• sB Тип проводимости I^1 А/см«
Li3Sb Гексагональная _ 320 1,0 2,9 п
Na3Sb » 0,02 330 — 1,1 2,5 п _
K3Sb Кубическая >0,07 550 12 1,4 0,9 P —
K3Sb Гексагональная 0,07 460 2 1,1 1,6 п —
Rb3Sb Кубическая 0,10 580 25 1,0 1,2 P —
Cs3Sb » 0,15—0,25 620—700 40—80 1,6 0,45 P 10-1«
Na2KSb » 0,30 600—670 30—60 1,0 1,0 P 10-«
K2CsSb » 0,30 650—700 50—100 1,0 1,1 P IO-17
K2CsSb (О) D 0,35 780 130 1,0 <1,1 P 10-16
CsNa2KSb » 0,30—0,40 870—940 300 1,4 «0 P 10-16
Rb2CsSb » 0,30 680—750 130 1,45 0,2 10-«
Таблица 25.17. Параметры основных фотокатодов для видимой и ближней инфракрасной областей
спектра [16, 18]
Фотокатод X., HM Ym Scp, мкА/лм Smi мкА/лм /т, А/см»
Cs3Sb 620—700 0,2—0,25 40—80 120 10-16— J0-IS
K2CsSb 650—700 0,3—0,4 55—65 200 ю-«
CsNa0KSb 900—940 0,3-0,4 200—250 450 ю-«
Ag-O-Cs 1200 0,005 20—40 70 IO-JS-IO-Ii
GaAsP-Cs-O 680 0,5 200—300 375 < IO-I4
GaAs -Cs-O 900 0,3 800—1400 2150 IO-I4 — 10-1«
InGaAsP -Cs-O 1100—1150 0,2 200—500 1640 10-11 — 10-1»
In0,53Ga0.47As - 1700 0,08 — — —
— InP-Ag —
-Cs-O
Рис. 25.14. Спектральные характеристики коэффициента поглощения a (J) и квантового выхода ФЭ (2) для фотокатода из Cs3Sb [16]
Рис. 25.15. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для фотокатодов на основе антимонидов щелочных металлов:
1 — Rb3Sb; 2 — KsSb с кубической структурой; 3 — K3Sb с гексагональной структурой; 4 — NasSb; 5 — Li3Sb [161
•37—2150
577 7,6 г,в
3,2 3,6
Рис. 25.19. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для иодидов щелочных металлов [16]
Рис. 25.16. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для многощелочного и бшцелочных фотокатодов:
J — CsNa2KSb; J-KsCsSb(O); S-Na2KSb [16]
1,0 Ifi 7,8 1,2 2fi /IV, ЭВ
Рис. 25.17. Спектральная характеристика квантового выхода ФЭ для фотокатода из Ag-O-Cs [16]
Рис, 25.20. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для некоторых щелочногалоид-ных соединений [16]
Рис. 25.18. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для фотокатода из Cs2Te без избытка цезия (1) и с избытком цезия (2) [16]
hv,3B
Рис. 25.21. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для некоторых галоидных соединений серебра:
/ — монокристалл AgBr; 2 — плавленый AgBr; S-AgCI [16]
578 Рис. 25.22. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для фотокатодов с ОЭС:
1 — GaAsP; 2 — GaAs; 3, 4 — InGaAsP с разной шириной запрещенной зоны [18]
1.Ч- 1.8 2,2 2,В hv,3B
Рис. 25.23. Спектральная характеристика квантового выхода ФЭ для полупрозрачного фотокатода из GaAs [18]
W3
Ея=1,?ЗзВ
--
\
I I
OA
0,6
1,0 Л,мкм
Рис. 25.24. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для фотокатодов из Gai-* In* As с различной шириной запрещенной зоны: Eg= 1,43 эВ х=0;Ек= = 1,29 эВ х=0,1; Eg= 1,18 эВ х=0,17, Ee= 1,13 эВ X=0,2 [20]
0,6 0,8 Л, MKM
Рис. 25.25. Спектральные характеристики квантовой выхода ФЭ для кремниевого фотокатода при освещенщ «на отражение» (1) и «на просвет» (2) [211
I1B Ify 1,0 Л, мкм
Рис. 25.26. Спектральные характеристики квантового выхода ФЭ для фотокатодов из InGaAs — InP — Ag—Cs—О, при различных значениях внешнего смещения [19]
Рентгеновская фотоэлектронная эмиссия (РФЭ) возникает под действием рентгеновского излучения и связана с переходом фотоэлектронов с глубоких атомных уровней в вакуум. Характерной особенностью фотоэлектронных спектров РФЭ является наличие узких линий, соответствующих фотоэлектронам, которые вышли нз тела без рассеяния энергии (табл. 25.18 и рис. 25.28— 25.30). При использовании длинноволнового рентгеновского излучения (Ziv=I кэВ) энергия эмитированных электронов составляет несколько сот электрон-вольт. Длина свободного пробега таких электронов равна 0,5— 2 нм (рис. 25.27), так что линейчатая часть спектров РФЭ отражает свойства приповерхностного слоя толщиной до пяти монослоев. Эта особенность спектров РФЭ позволяет использовать их для анализа состава поверхности в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФС). Энергии для химических элементов в соединениях различаются на несколько электрон-вольт. Так, для углерода энергия фотоэлектронной 1 s-линии меняется от 281 (HfC, TiC) до 292 эВ (CO2)-Этот эффект, обычно называемый химическим сдвигом, дает возможность получать с помощью РФС информацию не только о составе поверхности, но и о химических
