Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Бабичев А.Н. -> "Физические величины" -> 238

Физические величины - Бабичев А.Н.

Бабичев А.Н., Бабушкина Н.А. Физические величины — M.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 c.
ISBN 5-283-04013-5
Скачать (прямая ссылка): fizicheskievelechini1991.djvu
Предыдущая << 1 .. 232 233 234 235 236 237 < 238 > 239 240 241 242 243 244 .. 561 >> Следующая

520—770 IO6 203
KBr Ar 290—570 IO8 145
Xe 290—570 10 135
Kl Xe 420—770 1,5 2,5 98
RbF Kr 570—1000 132
RbCl Kr 630—970 7,9-IO4 43
RbBr Kr 460—600 4-Ю' 163
>600 5-Ю-4 28,9
RbI Kr 450—610 1,3-10е 136
>610 1,6-Ю-з 29,4
Xe 420—770 0,082 89,5
CsF Xe 720—870 IO2 19,3
CsCl Xe 620—740 0,1 86,6
740—920 0,1 83,5
CsBr Xe 530—850 100 140
CsI Xe 420—770 0,57 96

Таблица 17.40. Параметры выражения (17.13) для коэффициента диффузии атомов примеси в полупроводниках [11]

Полупроводник Диффундирующее вещество D0, см*/с Q, кД ж /моль Диапазон температур, К
Ge Li 0,0012 49,2 900—1200
Cu 0,0033 17,4 900—1200
Ag 0,044 96,5 900—1200
Au 0,055 242 1000—1200
Zn 3,3 247 900—1200
В 0,084 444 1000—1200
Ga 20 320 1000—1200
Al 0,05 261 1000—1200
In 0,048 231 IOoO-1200
Ge 49 209 1000—1200
Sn 0,017 183 1000—1200
Pb — 348 1000—1200
P 1,3 240 1000—1200
As 4,5 232 900—1200
Sb 3,6 232 1000—1200
Fe 0,13 106 1000—1200
Ni 0,42 87 900—1200
О 0,17 195 900—1200
Не 0,0061 68 900—1200
H 0,0027 36,7 1000—1200
Та 2,5-10-в 112 900—1200
Be Со 0,5 242 900—1200
0,16 106 900—1200
N — 249 900—1200
Bi 234 900—1200

Полу- Диффун-
провод- дирующее Оо, см*/с Q, кДж/моль
ник вещество
Si H 0,0094 46,3
Li 0,0025 63,6
0,0023 62,7
Cu 0,0047 41,5
0,4 96,5
Ag 0,002 154
Au 0,0011 106
Na 0,0016 69
К 0,0011 72,5
Zn 0,1 135
В 6-Ю-' 163
Al 4,8 323
Ga 90
376
IH 18 374
Те 16,5 375
С 0,33 282
Si 5,4-103 483
Ge 6,3-IO6 510
P 20 364
As 34 376
Sb 9,2 380
Bi IO3 444
о 0,21 292
S 0,92 212
Cr 0,01 96,5 83
Fe 0,0062
Не 0,11 121
Те Tl 320 172
Se 260 120
Hg 3,4-10"» 78
Те 3,5-IO-4 96,5
Se Fe IO"6 37,5 28
Zn 3,8-10-'
S 4,9 26
Ge 9,4-Ю-6 38,6
Те 5,4.10-6 39,6
Se 2,8-Ю-8 28
TI 1,4.10-6 33,8
Sn 4,8-IO"8 37,6
In 5,2-10-в 30,9
AlSb Al _ 174
Sb — 145
Zn 0,33 186
Cu 0,0035 34,5
InAs In 6-Ю6 386
As 3-Ю' 432
Cu 0,036 51
Ag 7,3-10-4 25
Au 0,0058 62,8
Mg 2-Ю-6 113
Zn 0,0037 104
Cd 6- ю-4 112
Ge 3,7-10-8 113
Sn 1,5-10-8 113
S 6,8 212
Se 13 212
Те 3,4-IO"6 124
P 130 261

389 Продолжение табл. 17.40

Полу- Диффунди- D0, см2/с Q, кДж/моль Диапазон
проводник рующее вещество температур, К
GaSb Ga 3200 304 930—970
Sb 0,0087 109 600—920
Sb 34000 333 920—970
Sn 2,4-IO-5 77,4 600—920
Те 3,8-10-4 116 600—920
Cd 1,5-Ю-8 69,5 770—900
Li 2,3-IO-4 184 1070
InP In IO5 373 1120—1270
P 7-Ю1" 545 1120—1270
Au 1,3-ю-5 463 870—1100
Ag 3,6-ю-4 57 800—1200
Cu 30 66,5 900—1200
Cd 1,1-10-' 70 1000—1200
InSb In 2-Ю"9 27 600—800
Sb 1,4-IO-4 363 600—800
Cu 3,5-IO"5 35,7 500—760
Ag ю-7 24,2 700—800
Au 7-Ю"4 30,9 400—800
Li 7-Ю-4 27 770
а 4-10-« 113 700—770
IO"5 106 520—770
Zn 1,6-106 222 620—770
Sn 1,3-ю-6 62,7 570—770
Ge 5-Ю-6 91,5 600—770
S 4-Ю5 101 470—720
Se 0,016 125 470—720
Со 2,7-10" 37,7 770—770
Fe ю-' 24,2 700—780
Те 6,6-10-® 115 630—770
GaP S 3200 453 1400—1700
GaAs Ga IO7 540 1400—1500
As 4- IO4 980 1400—1500
Li 0,53 96,5 520—770
Au ю-3 106 860—1330
Mg 4-Ю-® 118 1070—1270
Cd 0,0013 212 1070—1370
Zn 3-Ю"7 96,5 1070—1370
Ge 7,5 348 1320—1410
Sn 6-IO4 241 1300—1500
S 180 251 1100—1500
Mn 0,65 240 1000—1300
Те 2,6-IO-5 193 1270—1370
CdS Cd 3 193 1000—1420
Cd 1,1-ю-5 60 670—1000
Cu 2000 92,7 420—670
Cu 0,0015 73,4 670—1020
Ag 0,24 77,2 570—770
Au 200 174 770—1070
Li 3-10-в 65,6 880—1230

Продолжение табл. 17.40

Полупроводник Диффундирующее вещество Da, см2/с Q, кДж/моль Диапазон температур, К
CdSe Se 1,3-IO5 42,8 1220—1700
P — 203 1070—1270
CdTe Se 1,7-IO-4 130 950—1200
In 0,041 154 720—1300
Au 67 193 600—1000
Cu 3,7-IO-4 64,7 370—570
ZnS Zn 3-ю-4 147 1170—1200
Zn 1,5-IO-4 314 1210—1300
S — 328 970—1160
ZnSe Zn 1000 332 1000—1100
Cu 1,7-IO-5 64 470—840
ZnTe Zn 0,01 183 1060—1220
Те 2-Ю-4 367 1000—1270
HgTe Cd 3,1-ю-4 66,7 520—620

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Справочник химика. M.: Химия. 1964. Т. 3.

2. Маггего Т. A., Mason Е. A.//J. Phys. Chem. R Data. 1972. Vol. 1. P. 3—76.

3. Елецкий А. В., Палкина Jl. А., Смирнов Б. М. Явления переноса в слабоионизованной плазме. M.: Атомиздат. 1975.

4. Крюков Н. А. Взаимодействие атомов ртути с атомами инертных газов. Автореф. дне. ...канд. физ.-мат. наук. Л.: ЛГУ 1984.

5. Рид Р., Шервуд Т. Свойства газов и жидкостей: Пер. с аигл. Л.: Химия. 1971.

6. Рид Р., Праусииц Дж., Шервуд Т. Свойства газов и жидкостей: Пер. с англ. JI.: Химия. 1982.

7. Бретшнейдер С. Свойства газов и жидкостей: Пер. с польск. M.: Химия. 1986.

8. Adda Y., Philibert J. La diffusion dans Ies solids. Paris: Press Universitaires de France, 1966. Vol. 2.

9. Алефельд Г. Фёлькль И.//Водород в металлах/Под ред. Г. Алефельда и И. Фёлькля: Пер. с англ. M.: Мир. 1981.

10. Warburton W. К, Turnbull D.//Diffusion in Solids. Amsterdam: North Holland. 1975.

11. Болтакс Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука. 1972. ГЛАВА 18 ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗАХ И ПЛАЗМЕ
Предыдущая << 1 .. 232 233 234 235 236 237 < 238 > 239 240 241 242 243 244 .. 561 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed