Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Аскоченский А.А. -> "Оптические материалы для инфракрасной техники" -> 3

Оптические материалы для инфракрасной техники - Аскоченский А.А.

Аскоченский А.А. Оптические материалы для инфракрасной техники — М.: Наука, 1995. — 310 c.
Скачать (прямая ссылка): oticheskiemateriali1995.djvu
Предыдущая << 1 .. 2 < 3 > 4 5 6 7 8 9 .. 50 >> Следующая


Оптические монокристаллы

ІІІ'ИрОДНие И СШІТСТІІЧеі'Кие

Синтетические

IiiiMOHIiaii соль (IVaCl) Сильвіні (КС.]) ХлОрарпгрпт (AgCl) Котутшт (PbCl2) Вилышиг (NaK) Флюорит (CaF2) Ооллаиг (MjjF2) Шеелит (CaWO4) Нитрат натрия (NaXO3) IItpoiiCKHT (CaTiO3) Кальцит (CaCO3) Вульфенит (PbMoOi) Кварц (SiO2) Сапфир (Al2O3) Периклаз (MgO) Слюда

Касситерит (SnO2) Сера (S)

Шпинель (MgO-Al2O3) Рутил (TiO2) Цинкит (ZnO) 'Теллур (Те) Селен (Se) Алмаз (С) Муаееанит (SiC) Галенит (PbS) Клаусталнт (PbSe) Алтаит (PbTe) Сфалерит (ZnS) Грштокнт (CdS) Кндмоеелит (CdSe) Телдурониомутит (Bi3Te,-,)

Хлористый таллий (TlCl)

Хлористая медь (GuCl) Бромистая медь (CuBr) Фтористый литий (CiF) Фтористый барий (BaF2) Фтористый стронций (SrV2) Фтористый кадмий (CdKj) Фтористый свинец (PbF2) Бромистый калин (KBr) Промис/шіі цезий (CsBr) Бромистый таллий (TlBr) Подпетый калий (KJ) Подистый цезий (CsJ) Бромистый таллий — йодистый

таллий, KllS-5 Бромистый таллий — хлористый

таллий, KltS-G Бромистое серебро — хлористое

серебро, KRSAZ Титанат стропция (SrTiO3) Титанат бария (BaTiO3) Дшидрофосфат аммонии, ЛОР Дигидрофосфат калия, KDP Окись бария (BaO) Кремний (Si) Германий (Ge) Теллурид кадмия (CdTe) Ацтимонид индия (InSb) Фосфид ипдия (InP) Арсенид индия (IriAs) Фосфид галлия (GaP) Арсоннд галлия (GaAs) Апти.моппд галлии (GaSb) Антимоннд алюминия ('VlS!))

стикам соответствуют монокристаллам, обладают высокими термоме-хапичеекмми свойствами и могут быть нолучены больших размеров. Кристаллические материалы целесообразно разделить на ди- 10 I. Оптические материалы для инфракрасной, техники

электрики и полупроводники, оптические свойства которых весьма резко различаются между собой.

К диэлектрическим кристаллам можно отнести щелочно-галоидные кристаллы и кристаллы некоторых окислов и неорганических солей. Прозрачность в инфракрасной области спектра в случае щелочно-гало-идных кристаллов определяется главным образом колебаниями кристаллической решетки, а в случае кристаллов окислов и солей — колебаниями решетки и характеристическими колебаниями. Колебапия решетки зависят от массы атомов, из которых построены кристаллы, и характера химической связи. Чем больше массы атомов, тем в более длинноволновой области сиектра происходит поглощение излучения кристаллической решеткой. Поэтому, например, кристаллы йодистого цезия, состоящие из атомов с наибольшими массами, обладают самым широким диапазоном прозрачности: они начинают поглощать только при 60 мк. С поглощением излучения на колебаниях решетки также связано избирательное отражение (остаточные лучи). С увеличением степени ионной связи увеличивается интенсивность поглощения и избирательного отражения решетками кристаллов.

Диэлектрические кристаллы имеют сравнительно небольшие значения показателя преломления, их отражательная способность очень мала, так что эти материалы обычно не требуют просветления. Весьма важно, что оптические свойства диэлектрических кристаллов мало зависят от температуры. Эти кристаллы обладают большим разнообразием оптических свойств. Среди них — наибольшее число двунреломляющих кристаллов и кристаллов, обладающих электрооптическим эффектом. К сожалению, применение многих кристаллов-диэлектриков ограничено гигроскопичностью и недостаточной механической прочностью этих кристаллов.

Полупроводники являются сравнительно новым классом кристаллов, используемых в качестве оптических материалов. Оптические свойства полупроводников определяются главным образом собственным и примесным поглощением, а также поглощением на свободных носителях, особенно при больших длинах волн. Собственное поглощение полупроводников обусловлено переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Большинство полупроводников, в отличие от диэлектриков, непрозрачно в видимом и коротковолновом инфракрасном участках спектра,іде энергия падающего излучения вызывает этот переход электронов. От ширины запрещенной зоны зависит длинноволновая граница полосы поглощения. В примесных полупровод-пиках поглощение излучения приводит к возбуждению примесных уровней, донорных или акцепторных, находящихся внутри запрещенной зоны, но это проявляется только при очень низких температурах. 9 I. Оптические материалы для инфракрасной, техники

Полупроводники, как правило,— ковалентпые кристаллы с некоторой степенью ионной связи. Хотя степень ионной связи обычно незначительна, она все же обеспечивает иоявление полос иоглощепия н избирательного отражения, связанных с колебаниями решетки. За краем основной полосы поглощения в полупроводниках наблюдается неселективпое поглощение свободными носителями. Поэтому прозрачность полупроводников сильно зависит от электрофизических свойств полупроводниковых материалов.

Полупроводниковые кристаллы отличаются от диэлектрических большими значениями показателя преломления (до ~9), что требует во многих случаях нанесения просветляющих покрытий. Оптические свойства нолуироводников весьма сильно зависят от температуры. Полупроводниковые кристаллы являются перспективными оптическими материалами ввиду возможности синтеза большего числа полупроводниковых соединений с самыми различными оптическими характеристиками.
Предыдущая << 1 .. 2 < 3 > 4 5 6 7 8 9 .. 50 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed