Электронные явления переноса в полупроводниках - Аскеров Б.М.
Скачать (прямая ссылка):
В другом предельном случае, V1« 1, когда в интервале Jc0T находится много пленочных уровней, для нахождения асимптотики можно воспользоваться функциональным соотношением (26.25) п разложением (26.23).
Тогда из (26.54) для термо-э. д. с. имеем
«пл (d) Iv1Ci = а (оо) + 4- VV1. (26.56)
Из (26.56) и (26.55) следует, что термо-э. д. с. невырожденной пленкп с уменьшением толщины вначале уменьшается (так как «(°°)<0), а затем при толщинах, для которых V1 > 1, возрастает и при In Avi > 1 становится больше, чем для массивного образца. Таким образом, в области размерного квацтования термо-э. д. с. с уменьшением толщины изменяется немонотонно, что можно обнаружить на эксперименте.СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
К главе 1
1. Займан Дж. Электроны и фононы— M.: ИЛ. 1962.
2. Бонч-Бруввич В. Jl., Калашников С. Г. Физика полупроводников.—M.: Наука, 1977.
3. Смит. Р. Полупроводники.— M.: Мир, 1982.
4. Анселъм А. И. Введение в теорию полупроводников,— M.: Наука, 1978.
5. Киттелъ Ч. Введение в физику твердого тела.— M.: Наука, 1978.
6. Стильбанс Л. С. Физика полупроводников.— M.: Советское радио, 1967.
7. Лифшиц И. M., Азбелъ М. Я., Каганов М. И. Электронная теория металлов.— M.: Наука, 1971.
8. Блейкмор Дж. Физика твердого состояния.— M.: Изд-во Металлургия, 1972.
9. Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах.— M.: Мир, 1971. .
10. Киттелъ Ч. Квантовая теория твердых тел.— M.: Наука, 1967.
11. Займан Дж. Принципы теории твердого тела.— M.: Мир, 1974.
12. Харрисон У. Теория твердого тела,— M.: Мир, 1972. _
13. Левин А. А. Введение в квантовую химию твердого тела.— M.: Химия, 1974.
14. Шифф Л. Квантовая механика — M.: ИЛ, 1957.
15. Каллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры.— M.: Мир, 1969.
16. Джонс Г.. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах,— M.: Мир, 1968.
17. Цидилъковский И. М. Электроны п дырки в полупроводниках.— M.: Наука, 1972.
18. Shochley W.— Phys. Rev., 1950, v. 78, р. 173.
19. Dresselhaus G., Kip А. F. and Kittel С,— Phys. Rev. 1955, v. 98, p. 368.
20. Kane E. 0.- J. Phys. Chem. Solids, 1957, v. 1, p. 249.
21. Kane E. 0. Semiconductors and Semimetalls, Ed. by Willarson R. K. and Beer C., Academic Press, New York-London, 1966, v. 1, p. 75.
22. Pollak F. H., Cardona M. J.— J. Phys. Chem. Solids, 1966, v. 27, p. 423.
23. Cardona M. J., Pollak F. H.— Phys. Rev., 1966, v. 142, p. 530.
24. Groves S. H., Paul W.— Phys. Rev. Lett., 1963, v. 11,-p. 194, In: Proc. Inter. Conf. on Phys. of Semicond.— Paris, 1964, p. 41.
25. Гроуве. С. Г., Пиджин К. Р., Эвалъд А. У., Вагнер Р. Дж.— Труды IX Международной конферепции по физике полупроводников.— Л.: Наука, 1969,' т. 1, с. 46.
26. Herman F.— 1. Eleptronics, 1955, v. 1, p. 103.
27. Herman F.— Phys. Chem. Solids, 1959, v. 8, p. 380.
28. Callaway J.— J. Electronics, 1957, v. 2, p. 330.
29. Lowdin P.— J. Chem. Phys., 1951, v. 19, p. 1396.
30. Zawadzki W.— Advances in Physics, 1974, v. 23, p. 435.
31. Берченко H. H., Пашковский M. В.— УФН, 1976, т. 119, с. 223.
32. Гелъмонт Б. Л., Иванов-Омский В. M., Цидилъковский И. М.— УФН, 1976, т. 120, с. 337.
31033. Равич Ю. И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe1 PbSe PbS_
M.: Наука, 1968.
34. Cohen М. Ar.- Phys. Rev., 1961, v. 121, р. 387.
35. Nikolic Р. М.— Brit, J. Appl. Phys., 1965, v. 16, p. 1075.
36. Dimmok J. 0., Nelngailis I., Strauss A. J.— Pliys. Rev. Letts, 1966, v. 16, p. 1193.
37. Martinz G.— Pliys. Rev., 1973, v. B8, p. 4678.
38. Esaki L., Stiles"P. J.— Phys. Rev. Letts, 1966, v. 16, p. 1108.
39. Allgaier R. S., Houston В. В.— In: Proc. Intern. ConL on Phys. of Semi-cond.— Exeter, 1962. p. 172; J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 302.
40. Айрапетянц С. В.. Виноградова М. H., Дубровская И. H., Коломоец Н. В., Рудник И. М.— ФТТ, 1966, т. 8, с. 1334.
•41. Коломоец Н. В., Виноградова М. H., Лев Е. Я., Сысоева Л. М.— ФТТ, 1966, т. 8 с. 2925.
42. Андреев А. А,— ФТТ. 1966, т. 8, с. 2818; Андреев А. А., Радианов В. Я,— ФТИ, 1967, т. 1, с. 183.
43. Саакян В. А., Девяткова Е. Д., Смирнов И. А.— ФТТ, 1965, т. 7, с. 3136.
44. Виноградова М. H., Тамарченко В. И., Прокофьева Л. В.— ФТП, 1975, т. 9, с. 483.
45. Волков Б. А., Кучеренко И. В., Тактакашвили М. С., Шотов А. П.— ФТП, 1974, т. 8, с, 2346; ФТП, 1974, т. 8, с, 446.
К главе 2
1. Zawadzki W., Kowalczuk R., Kolodziejczak J.— Pliys. Stat. Sol., 1965, v. 10, р. 513.
2. Аскеров Б. М. Кинетические эффекты в полупроводниках.^ Л.: Наука, 1970.
3. Грязное О. С. Таблицы для расчета кинетических коэффициентов в полупроводниках.— Л.: Наука, 1971.
4. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках.— M.: Мир, 1964.
5. Kolodiiejczak 1.— Acta Phys. Polon., 1961, v. 20, p. 289.
6. Zawadzki И7.— Advances in Physics, 1974, v. 23, p. 435.
7. Kolodziejczak 7., Zukotynski S., Stramska H.— Phys. Stat. Sol., 1966, v. 14, p. 471; 1966, v. 16, p. K55.