Электронные явления переноса в полупроводниках - Аскеров Б.М.
Электронные явления переноса в полупроводниках
Автор: Аскеров Б.М.Издательство: М.: Наука
Год издания: 1985
Страницы: 320
Читать: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127
Скачать:
Б.М.Аскеров
ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1985.— 320 с.
Посвящена систематическому п подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках.
Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических
и инженерно-физических специальностей.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие 3
Глава 1. Энергетический спектр носителей тока в полупроводниках 7
§ 1. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке 7
§ 2. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна 10
§ 3. Структура краев энергетических зон некоторых полупроводников. 15
основные модели зон Глава 2. Статистика носителей заряда в полупроводниках 32
§ 4. Концентрация электронов в зоне проводимости и уровень Ферми. 32
Зависимость эффективной массы от концентрации § 5. Статистика носителей заряда в собственных полупроводниках и 46
полуметаллах
§ 6. Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках 52
Глава 3. Решение кинетического уравнения. Механизмы рассеяния 67
§ 7. Феноменологическое определение кинетических коэффициентов и их 67 взаимная связь
§ 8. Кинетическое уравнение и условия его применимости 71
§ 9. Решение кинетического уравнения для произвольной сферически- 78
симметричной зоны в приближении времени релаксации § 10, Рассеяние носителей заряда в полупроводниках с произвольной 89
изотропной зоной. Примесное рассеяние §11. Рассеяние носителей заряда на фононах в полупроводниках с 100
произвольной изотропной зоной § 12. Теория рассеяния носителей заряда в полупроводниках с учетом 123
блоховских волновых функций Глава 4. Электронные явления переноса в полупроводниках с изотропной 136 зоной
§ 13. Общие выражения основных кинетических коэффициентов 136
§ 14. Явления переноса в отсутствие магнитного поля 141
§ 15. Явления переноса в магнитном поле 156 § 16. Явления переноса в полупроводниках типа p-Ge 187
§ 17. Увлечение носителей заряда фононами в полупроводниках с 197
произвольной изотропной зоной Глава 5. Явления переноса в полупроводниках с анизотропной 206
непараболической зоной. Анизотропное рассеяние § 18. Решение кинетического уравнения для анизотропной зоны в 207
приближении тензора времени релаксации t § 19. Тензоры проводимости в полупроводниках с анизотропным законом 210 дисперсии
§ 20. Основные кинетические эффекты в кубических полупроводниках с 214
изотропным законом дисперсии Глава 6. Явления переноса в квантующих магнитных полях 223
§ 21. Энергетический спектр и статистика носителей заряда в квантующих 224 магнитных полях
§ 22. Гальваномагнитные явления в квантующем магнитном поле 243
§ 23. Термомагнитные явления в поперечном квантующем магнитном 262
поле
Глава 7. Электронные явления переноса в полупроводниковых 278
§ 24. Решение кинетического уравнения в пленках с учетом граничных 278 условий
§ 25. Явления переноса в пленках с произвольным изотропным 285
§ 26. Квантовые размерные эффекты 294
Список литературы 310 ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие ......... >..,..«. 3
Глава 1. Энергетический спектр носителей тока в полупроводниках 7
§ 1. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке 7
§ 2. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна 10 § 3. Структура краев энергетических зон некоторых полупровод-
ников. Основные модели зон.......... 15
Глава 2. Статистика носителей заряда в полупроводниках ... 32
§ 4. Концентрация электронов в зоне проводимости и уровень
Ферми. Зависимость эффективной массы от концентрации 32 § 5. Статистика носителей заряда в собственных полупроводниках и полуметаллах............46
Jj 6. Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках 52
Глава 3. Решение кинетического уравнения. Механизмы рассеяния 67
§ 7. Феноменологическое определение кинетических коэффициентов и их взаимная связь..........67
§ 8. Кинетическое уравнение и условия его применимости 71 § 9. Решение кинетического уравнения для произвольной сферически-симметричной зоны в приближении времени релаксации ................78
§ 10, Рассеянпе носителей заряда в полупроводниках с произвольной изотропной зоной. Примесное рассеянпе . . . . 89 §11. Рассеяние носителей заряда на фононах в полупроводниках
с произвольной изотроппой зоной ........ 100
§ 12. Теория рассеяния носителей заряда в полупроводниках с
учетом блоховских волновых функций....... 123
Глава 4. Электронные явления переноса в полупроводниках с
