Физика твердого тела. Том 1 - Ашкрофт Н.
Скачать (прямая ссылка):
и почти свободные электроны I 162—166 Брэгговское отражение I 108, 109
--порядок I 106
Вакансии II 233, 234. См. также Дефекты в кристаллах Валентные зоны I 155 в металлах I 1 97 волновые функции I 1 97—1 99
--сравнение с волновыми функциями
ионного остова I 1 98 в полупроводниках II 185 Валентные электроны I 1 8
и фундаментальные трудности в модели свободных электронов I 72 разрешение трудностей I 226 Вандерваальсовские силы см. Флуктуационно-дипольные силы Вариационный принцип для уравнения Больцмана I 327, 328
--для уравнения Шредингера с периодическим потенциалом I 383, 384
Взаимодействие см. Дальнодействующее взаимодействие; Дипольное магнитное взаимодействие; Ион-ионное взаимодействие; Магнитное взаимодействие Электрон-ионное взаимодействие; Электрон-фононное взаимодействие; Электрон-электронное взаимодействие Вектор Бюргерса II 250—252 Векторный потенциал в полуклассических уравнениях движения I 385
--и магнетизм электронов II 261
Верхнее критическое поле II 346 Вигнеровский кристалл II 299
Винтовая дислокация II 249, 250. См. также Дислокации Винтовая ось I 121 (с), 134
Вихревые линии в сверхпроводниках II 347, 348 и квант магнитного потока II 348 (с) и теория Гинзбурга — Ландау II 363 (с) Волновой вектор Ферми I 49, 51 выраженный через rs I 49
и электронная плотность в приближении свободных электронов I 49 соотношение с дебаевским волновым вектором II 86 (с) Волновые векторы, их плотность I 48, 143 Волновые пакеты фононные II 1 24 --электронные I 219, 220
Волновые функции электронов в атоме и межатомное расстояние I 181, II 6 Волны спиновой плотности II 299 Восприимчивость магнитная II 260 антиферромагнетиков II 315 атомная II 261—265, 268—270 атомов инертных газов II 264
в приближении молекулярного поля (закон Кюри — Вейсса) II 332 высокотемпературная (в модели Гейзенберга) II 323—326 — и вычисление критической температуры II 326 диамагнитная Ландау II 280, 282 диамагнитная Лармора II 263—265 Ланжевена II 264 (с)
ионов в щелочно-галоидных соединениях II 264 ионов с частично заполненными оболочками II 268—270 молярная II 264 особенность при Tc II 315 парамагнитная Паули см. Парамагнетизм Время между столкновениями см. Время релаксации Время рекомбинации II 223 Время релаксации I 21
выраженное через удельное сопротивление I 23
для изотропного упругого рассеяния электронов на примесях I 326
для фононов II 126—131
--в процессах переброса и нормальных процессах II 135
для электрон-фононного рассеяния II 151
для электрон-электронного рассеяния I 346—348
зависящее от координат I 250 (с) ---в полупроводниках II221, 223
и вероятность столкновения I 316 и распределение Пуассона I 40, 41 Вронскиан I 154 Второй звук II 133—135
Выпрямляющее действие p — n-перехода II 217—220, 225—230 Вырожденные полупроводники II 195; см. также Полупроводники Газ классический
распространение звука в нем II 134, 135 сравнение с газом фононов II 128 (с), 131 (с), 134
--электронами в невырожденных полупроводниках II 207, 208
Газ электронов см. Приближение свободных электронов; Электронный газ
Гальваномагнитные эффекты см. Магнето-сопротивление; Эффект Холла Гармонический осциллятор (квантовый) II 371 Гармоническое приближение II 52, 53, 115
динамический структурный фактор в этом приближении II 383—385 его недостаточность II 115, 116 и бесконечная теплопроводность II 1 24
и зависимость частот нормальных колебаний от объема II 118, 119 используемое для описания колебаний решетки II 50—78 и теория теплоемкости II 79—96 квантовая теория II 371—374
отличие от предположения о малой амплитуде колебаний II 11 5 форма в случае парного потенциала II 53 энергетические уровни N-ионного кристалла II 80. См. также Ангармонические члены; Колебания решетки; Фононы Гексагональная кристаллическая система I 1 26, 1 27 Гексагональная плотноупакованная структура I 86—91
и гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 90 и плотная упаковка сфер I 90 и почти свободные электроны I 173—175, 299, 300 отношение с/а I 89, 90
спин-орбитальное взаимодействие в ней I 175, 299 структурный фактор I 11 7, 11 8 элементы с этой структурой I 89. См. также Простая Гексагональная решетка Бравэ Гелий твердый давление кристаллизации (при Т = 0) II 28 (с) и гармоническое приближение II 53
и предположение о малой амплитуде колебаний II 115, 117 и рассеяние нейтронов (в Не3) II 97 и теория квантовых кристаллов II 51 (с) Геликоны I 41 , 42
Генерация носителей тока II 223. См. также Полупроводники Геометрический структурный фактор см. Структурный фактор Гибридизация I 185 Гистерезис (магнитный) II 335
Глубина проникновения II 353. См. также Сверхпроводимость; Уравнение
Лондонов «Голые» ионы II 1 42 Гранецентрированная кубическая решетка Бравэ I 81, 82 зоны Бриллюэна выше первой I 1 69 p-зоны в методе сильной связи I 193 s-зоны в методе сильной связи I 186—188 и гексагональная плотноупакованная структура I 90, 91 и плотная упаковка сфер I 91 координационное число I 83 основные векторы I 81
