Физика твердого тела. Том 1 - Ашкрофт Н.
Скачать (прямая ссылка):
решеточная сумма I 380, 381 сумма по первой зоне Бриллюэна I 380 Плоскость скольжения I 121 (с), 134 Плотная упаковка сфер I 88—91
и гексагональная плотноупакованная структура I 89—90 и гранецентрированная кубическая структура I 92 и другие структуры I 90, 91 упаковочный множитель I 94 Плотность заряда в щелочно-галоидных кристаллах II 1 3
--вблизи поверхности кристалла I 358
Плотность нормальных мод см. Плотность уровней (фононных) Плотность поляризации II 158 Плотность потока тепла I 255 Плотность уровней (в k-пространстве) I 48, 143 Плотность уровней (фононных) II 92—94 в модели Дебая II 93
--Эйнштейна II 93
Плотность уровней (электронных) в двумерном случае I 67
в двухзонной модели для почти свободных электронов I 176 в переходных металлах I 307, 308 в полупроводниках II 196, 198, 202. 208 в редкоземельных металлах I 308. 309 для блоховских электронов I 149—152, 155 для свободных электронов I 57, 58 и парамагнетизм Паули II 277, 278 и спин электрона I 1 49 (с) и теплоемкость I 60 особенности ван Хова I 152, 156 особенности в сильном магнитном поле II 273, 274 поправка за счет фононов II 1 46 Плотность электрического тока I 22 Поверхностные плазмоны Т 42
Поверхностные поправки к одноэлектронному потенциалу для бесконечного
образца I 353 Поверхностные уровни I 366—370 и теорема Блоха I 368
теория почти свободных электронов I 369, 370 Поверхность Ферми I 148, 149 алюминия I 301 бериллия I 300
благородных металлов I 289—292 вблизи брэгговских плоскостей I 1 68 в приближении свободных электронов см. Сфера Ферми в схеме повторяющихся зон I 149
--приведенных зон I 149
--расширенных зон I 166 значение I 264 определение I 264—281
построение в приближении почти свободных электронов I 168—172, 174, 178, 179 Поверхность свинца I 304
щелочных металлов I 285 экстремальные площади сечений I 267 Повороты и упругая энергия II 73 Подвижность II 185 (с), 221. 222
Подрешетки магнитные II 309. См. также Антиферромагнетизм Показатель преломления II 157
--соотношения Крамерса — Кронига I 392
См. также Диэлектрическая проницаемость Поле Холла I 28
Поливалентные металлы I 298—310
зонная структура переходных металлов I 306—308
--простых металлов I 298—306
--редкоземельных металлов I 308—310
Поликристаллическое состояние I 76 (с)
--и дифракция рентгеновских лучей I 111
Полуклассическая модель I 21 6—244
в случае постоянного магнитного поля I 232, 233
---электрического поля I 227, 228,244
высокочастотная электропроводность I 252—254 гамильтониан I 385
и движение во взаимно перпендикулярных электрическом и магнитном полях I 236, 237 и дырки I 228—232 и заполненные зоны I 224—227 и квантование орбит I 270—273 и магнетосопротивление I 237—244 и модель свободных электронов I 21 6, 21 7 и неоднородные полупроводники II 21 2
---возможная неприменимость II 212
и примесные уровни в полупроводниках II 201 , 202 и теплопроводность I 254—257 и термоэлектрические эффекты I 257—260 и типы носителей I 221 , 222 и экситоны II 245, 247 и эффект Холла I 237—241
пределы применимости I 222, 223, 253, 387—389, 393 статическая электропроводность I 151, 152 --в постоянном магнитном поле I 260, 262, 263 теорема Лиувиля I 225, 385 теория явлений переноса I 245—263 уравнения движения I 221 базовое пространство I 225 См. также Блоховские электроны; Орбиты Полуметаллы I 304, 305
и полупроводники I 304 (с) теплоемкость I 307 (с) эффективная масса носителей тока I 206 (с) Полупроводники II 184—232 валентные зоны II 185 время рекомбинации II 223 (с) вырожденные II 1 95 генерация носителей II 222
диамагнетизм (в легированных полупроводниках) II 282 дифференциальная термо-э. д. с. II 186 диффузионная длина II 224 закон действующих масс II 1 97
запрещенная зона (энергетическая щель) II 184—186
--измерение ширины II 189, 190
--температурная зависимость II 189
зонная структура II 1 90—1 93
--антимонида индия II 192, 193
--германия II 192, 193
--кремния II 191, 192
зоны проводимости II 184 и диэлектрики II 185 и полуметаллы I 304 (с)
концентрация носителей II 194 —199, 205—207, 209 коэффициент диффузии II 221 легирование II 21 0, 211 невырожденные II 1 95
— явления переноса II 207 несобственные II 186
— концентрация носителей II 198, 199 носители тока неосновные II 21 5 (с), 21 9 --основные II 219
оптические свойства II 189, 190
парамагнетизм (в легированных полупроводниках) II 282
p — n-переход II 211
плотность уровней II 184, 196, 208
--при наличии примесей II 202
подвижность носителей тока II 185 (с), 221, 222 полуклассическая модель II 21 2 полярные II 189
примеси см. Примеси в полупроводниках проводимость II 185—187 рекомбинация носителей II 222 собственные II 186
— концентрация носителей II 1 97, 1 98
сопротивление II 185—188
n-типа II 199
p-типа II 199
уровень Ферми II 195 (с)
фотопроводимость II 186
химический потенциал II 195, 197—199
--и энергия Ферми I 149 (с), II 195 (с)
циклотронный резонанс II 193, 194. 208 электрохимический потенциал II 213, 214 Поляризация колебаний решетки II 67 в решетке с базисом II 372—374 и рассеяние нейтронов II 104 (с), 385 и симметрия решетки II 77 продольная и поперечная II 70 Поляризуемость II 1 66—1 76 атома водорода II 182 атомная II 1 66—1 68 атомов инертных газов II 1 68
