Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Физика -> Ашкрофт Н. -> "Физика твердого тела" -> 214

Физика твердого тела - Ашкрофт Н.

Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела — М.: Мир, 1979. — 486 c.
Скачать (прямая ссылка): fiztverdtela1979i.djvu
Предыдущая << 1 .. 208 209 210 211 212 213 < 214 > 215 216 217 218 219 220 .. 224 >> Следующая

— — симметрия И 179 Плавление II 47 Плавный переход II 212 Плазменная частота I 33
ионная II 139
и оптические свойства металлов Т 33—35, 293
численные формулы I ,372 Плазменное колебание (гатаямоп) I 34
поверхностное I 42
способы наблюдения I 35 Пластическая деформация II 248
Плоские волны I 47
решеточная сумма I 380, 381 сумма по первой зоне Бриллюэна I 380 Плоскость скольжения I 121 (с), 134 Плотная упаковка сфер I 88—91 и гексагональная плотноупакованная структура I 89—90 и гранецентрированная кубическая структура I 92 и другие структуры I 90, 91 упаковочный множитель I 94 Плотпость заряда в щелочно-галоидпых кристаллах II 13
— — вблизи поверхности кристалла I 358 Плотпость нормальных мод см. Плотность
уровней (фононных) Плотность поляризации II 158 Плотность потока тепла I 255 Плотность уровней (в /с-пространстве) I 48,
143
Плотность уровней (фононных) II 92-94 в модели Дебая II 93
— — Эйнштейна II 93 Плотность уровней (электронных)
в двумерном случае I 67
в двухзонной моделп для почти свободных
электронов I 176
в переходных металлах I 307, 308 в полупроводпиках II 196, 198, 202. 208 в редкоземельных металлах I 308. 309 для блоховских электронов I 149—152, 155 для свободных электронов I 57, 58 и парамагнетизм Паули II 277, 278 и спин электрона Т 149 (с) и теплоемкость I 60 особенности вап Хова Т 152, 156 особенности в сильном магнитном поле TI 273, 274
поправка за счет фононов II 146 Плотность электрического тока Т 22 Поверхностные плазмоны I 42 Поверхностные поправки к одноэлектропно-mv потенциалу для бесконечного образца I 353 Поперхностньте уровни Т 366—370 и теорема Блоха Т 368 теория почти свободных электронов I 369, 370
Попорхпость Ферми Т 148, 149 алюминия Т 301 бериллия I 300
благородных металлов I 289—292 вблизи брэгговских плоскостей Т 168 в приближении свободных ллектропов см.
Сфера Ферми в схеме повторяющихся зон Т 149 - — приведенных лоп Т 149
— — расширенных зон I 166 значение- I 264 определение Т 264—281
построение в приближении почти свободных ялоктропов Т 168 — 172, 174, 178, 179
Поворхпость свинца Т 304 щелочных металлов I 285
Предметный указатель
405
экстремальные площади сечений I 267 Повороты и упругая энергия II 73 Подвижность II 185 (с), 221. 222 Подрентетки магнитные II 309. См. также
Антиферромагнетизм Показатель преломления II 157
— — соотношения Крамерса — Кронига
I 392
См. также Диэлектрическая проницаемость Поле Холла I 28
Поливалентные металлы I 298—310
зонная структура переходных металлов I 306-308
— — простых металлов I 298—306
— — редкоземельных металлов I 308—
310
Поликристаллическое состояние I 76 (с)
— — и дифракция рентгеновских лучей
I 111
Полуклассическая модель I 216—244 в случае постоянного магнитного поля Т 232, 233
---электрического поля I 227, 228, 244
высокочастотная электропроводность I
252-254 гамильтониан I 385
н движение во взаимно перпендикулярных
электрическом и магнитном полях I
236, 237 и дырки I 228—232 и заполненные зоны I 224—227 и квантование орбит I 270—273 и магнетосопгютивление I 237—244 и модель свободных электронов Т 216, 217 и неоднородные полупроводники II 212
---возможная неприменимость II 212
и примесные уровни в полупроводниках II
201, 202' и теплопроводность I 254—257 и термоэлектрические эффекты I 257—260 и типы носителей I 221, 222 и экситоны II 245, 247 и эффект Холла I 237—241 пределы применимости I 222, 223, 253, 387—
389, 393
статическая электропроводность Т 151, 152
— — в постоянном магнитном поло Т 260,
262, 263
теорема Лиувиля I 225, 385
теория явлений переноса Т 245—263
уравнения движения I 221
«вазовое пространство Т 225
См. также Елоховские электроны; Орбиты Полуметаллы I 304, 305
п полупроводпики Т 304 (с)
теплоемкость I 307 (с)
эффективная масса носителей тока I 206 (с) Полупроводники II 184—232
валентпьте зоны II 185
время рекомбинации TT 223 (с)
вырожденные TT 195
геперация погителрй TT 222
диамагнетизм (в легированных полупроводниках) II 282
дифференциальпая термо-э. д. с. II 186 диффузионная длина II 224 закон действующих масс II 197 запрещенная зона (энергетическая щель) II 184-186
— — измерение ширины II 189, 190
— — температурная зависимость II 189 зоиная структура II 190 — 193
— — антимонида индия II 192, 193 --германия II 192, 193
— — кремния II 191, 192 зоны проводимости II 184
и диэлектрики II 185
п полуметаллы I 304 (с)
концентрация носителей II 194 —199, 205—
207, 209 коэффициент диффузии II 221 легирование II 210, 211 невырожденные II 195
— явления переноса II 207 несобственные II 186
— концентрация носителей II 198, 199 носители тока неосновные II 215 (с), 219
— — основные TI 219 оптические свойствами 189, 190 парамагнетизм (в легированных полупроводниках) II 282
р — га-переход TI 211
плотность уровней II 184, 196, 208
--при наличии примесей IT 202
подвижность носителей тока 1Г 185 (с), 221, 2221
полуклассическая модель II 212 полярные II 189
примеси см. Примеси в полупроводниках проводимость II 185—187 рекомбинация носителей II 222 собственные II 186
Предыдущая << 1 .. 208 209 210 211 212 213 < 214 > 215 216 217 218 219 220 .. 224 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed