Физика твердого тела - Ашкрофт Н.
Скачать (прямая ссылка):
Поливалентные металлы 1298—310
зонная структура переходных металлов 1306—308
--простых металлов 1298—306
--редкоземельных металлов 1308—310
Поликристаллическое состояние 176 (с)
--и дифракция рентгеновских лучей 1111
Полуклассическая модель 1216—244
в случае постоянного магнитного поля 1232, 233
---электрического поля 1227, 228,244
высокочастотная электропроводность 1252—254
гамильтониан 1385
и движение во взаимно перпендикулярных электрическом и магнитном
полях 1236, 237
и дырки 1228—232
и заполненные зоны 1224—227
и квантование орбит 1270—273
и магнетосопротивление 1237—244
и модель свободных электронов 1216, 217
и неоднородные полупроводники П 212
---возможная неприменимость П 212
и примесные уровни в полупроводниках II201, 202
и теплопроводность 1254—257
и термоэлектрические эффекты 1257—260
и типы носителей 1221, 222
и экситоны II245, 247
и эффект Холла 1237—241
пределы применимости 1222, 223, 253, 387—389, 393 статическая электропроводность 1151, 152
--в постоянном магнитном поле 1260, 262, 263
теорема Лиувиля 1225, 385
теория явлений переноса 1245—263
уравнения движения 1221
базовое пространство 1225
См. также Елоховские электроны; Орбиты Полуметаллы 1304, 305
и полупроводники 1304 (с)
теплоемкость 1307 (с)
эффективная масса носителей тока 1206 (с) Полупроводники II 184—232
валентные зоны II 185
время рекомбинации II223 (с)
вырожденные П 195
генерация носителей II 222
диамагнетизм (в легированных полупроводниках) П 282
дифференциальная термо-э. д. с. П 186
диффузионная длина II224
закон действующих масс П 197
запрещенная зона (энергетическая щель) II 184—186
--измерение ширины II189, 190
--температурная зависимость П 189
зонная структура II190—193
--антимонида индия II192, 193
--германия II192, 193
--кремния II191, 192
зоны проводимости П 184 и диэлектрики П 185 и полуметаллы 1304 (с)
концентрация носителей II194 —199, 205—207, 209 коэффициент диффузии П 221 легирование II210, 211 невырожденные П 195
— явления переноса П 207 несобственные П 186
— концентрация носителей П 198, 199 носители тока неосновные П 215 (с), 219 --основные II219
оптические свойства II189, 190
парамагнетизм (в легированных полупроводниках) П 282
р — n-переход II211
плотность уровней П 184, 196, 208
--при наличии примесей П 202
подвижность носителей тока II185 (с), 221, 222 полуклассическая модель II212 полярные П 189
примеси см. Примеси в полупроводниках проводимость П 185—187 рекомбинация носителей II222 собственные П 186
— концентрация носителей П 197, 198
сопротивление П 185—188
n-типа П 199
р-типа П 199
уровень Ферми П 195 (с)
фотопроводимость II186
химический потенциал II195, 197—199
--и энергия Ферми 1149 (с), П 195 (с)
циклотронный резонанс П 193, 194. 208
электрохимический потенциал II213, 214 Поляризация колебаний решетки II67
в решетке с базисом II372—374
и рассеяние нейтронов П 104 (с), 385
и симметрия решетки II77
продольная и поперечная П 70 Поляризуемость II166—176
атома водорода П 182
атомная П 166—168
атомов инертных газов II168
и диэлектрическая проницаемость (соотношение Клаузиуса — Моссотти) II 166
ионов галогенов П 168 ионов щелочных металлов II 168 ковалентных кристаллов П 177—179 модель деформируемых ионов II169, 173 связи П 177
смещения II166, 168—170 См. также Диэлектрическая проницаемость Поляритон II174 Полярные кристаллы II179 (с) Полярные полупроводники II 180 Поляроны П 243, 244
Порошковый метод (метод Дебая — Шеррора) 111 1—113
--построение Эвальда для него 1112
Постоянная Больцмана 138
--точное численное значение 1371
Постоянная Маделунга П 35, 36 Постоянная решетки 185
гексагональной плотноупакованной структуры I 89
о.ц.к. и г.ц.к. моноатомной решетки Бравэ I 82
ромбических кристаллов 1135
ромбоэдрических (тригональных) кристаллов 1135
структуры алмаза I 88
хлорида натрия 192
хлорида цезия 192
цинковой обманки 193
тетрагональных кристаллов 1135 Построение Эвальда 1109
в методе вращающегося кристалла 1112
в методе Лауэ 1111
в порошковом методе 1112 Потенциал Борна — Майера П 39 Потенциал «6—12» Леннарда-Джонса П 28— 30
---параметры для инертных газов П 29
Потенциал решетки см. Периодический потенциал Потенциал ТОкавы 1341 Правила Хунда II265—268
в применении к ионам переходных металлов П 274
--к редкоземельным ионам П 273
формула П 283 Правило Колера 1263 Правило Матиссепа 1323, 324 Предел Казимира II133 (с) Предположение о локальности 132, 278, 390 Приближение времени релаксации (т-приближение) 121, 246. 247
для общей неравновесной функции распределения 1247—251
и законы сохранения 1327
и локальное сохранение заряда 1261
и правило Матиссена 1323, 324
критика 1313—328
применимость для изотропного упругого рассеяния на примесях и закон Видемана—Франца 1322, 323 сравнение с более общей формулировкой 1318 См. также Столкновения; Уравнение Больцмана Приближение Гайтлера — Лондона II293, 304, 305
в модели Хаббарда для молекулы водорода П 305, 306 пределы применимости П 293
формула для величины обменного расщепления в молекуле водорода II294 Приближение жестких ионов II168
