Введение в теорию полупроводников - Ансельм А.И.
Скачать (прямая ссылка):
Глава § 1
§ 2
§ 3 § 4
IV. Электроны в идеальном кристалле...........
Общая постановка задачи. Адиабатическое приближение .
Метод Хартри —Фока..................
Электрон в периодическом поле.........L ' ' "
Понятие о положительных дырках почти заполненной валент
ной зоны........................-
§ 5. Приближение почти свободных (слабо связанных) электронов
§ 6. Зоны Бриллюэна...................
§ 7. Приближение сильно связанных электронов......
§ 8. Структура энергетических зон и симметрия волновых функ ций в простой кубической решетке и в кристалле сурмянис
того индия ......................
§ 9. Группы волнового вектора для решетки типа германия . § 10. Спин-орбитальное взаимодействие и двойные группы . .
§ 11. Двойные группы в кристаллах InSb и Ge.......
§ 12. Спин-орбитальное расщепление в кристаллах InSb и Ge § 13. Исследование спектра электронов (дырок) вблизи минимума (максимума) энергии в зоне Бриллюэна (ftp-метод) ....
§ 14. Симметрия, связанная с обращением времени.......
§ 15. Структура энергетических зон некоторых полупроводников
Глава V. Локализованные состояния электрона в кристалле . . .
§ 1. Функции Ванье. Движение электрона в поле примеси . . . § 2. Локализованные состояния электрона в неидеальной решетке
§ 3. Экситоны ....................
§ 4. Поляроны.......................
Глава VI. Электрические, тепловые и магнитные свойства твердых тел ........................
Металлы, диэлектрики и полупроводники........
Статистическое равновесие свободных электронов в полупро
водниках и металлах ...... . ...........
Теплоемкость свободных электронов в металлах и полупровод
никах .........................
Магнитные свойства вещества. Парамагнетизм газов и электро нов проводимости в металлах и полупроводниках .... Диамагнетизм атомов и электронов проводимости. Магнитные
свойства полупроводников ...............
Циклотронный (диамагнитный) резонанс.........
Контакт полупроводника с металлом. Выпрямление . . .
Свойства р—я-переходов................
Генерация и рекомбинация носителей тока. Квазиуровни Ферми...........................
§ 1.
§ 2.
§ з.
§ 4.
§ 5.
§ 6. §7. § 8. § 9.
Глава VII. Оптика полупроводников................
§ 1. Дисперсионные соотношения Крамерса—Кронига......
§ 2. Межзонное поглощение света, связанное с прямыми переходами ............................
§ 3. Межзонные непрямые переходы...............
§ 4. Поглощение света в полупроводниках свободными носителями
§ 5. Поляритоны.......................
§ 6. Эффект вращения Фарадея.................
§ 7. Теория межзонного поглощения света в квантующем магнитном
поле............................
§ 8. Поглощание света в полупроводниках в однородном электрическом поле (эффект Франца—Келдыша)..........
394
398 398
403 417 426 428 432
436
445 ОГЛАВЛЕНИЕ 5
Глава VIII. Кинетическое уравнение и время релаксации для электронов проводимости в кристаллах ........... 454
§ 1. Явления переноса и кинетическое уравнение Больцмана . . . 454 § 2. Кинетическое уравнение для электронов в кристалле .... 463 § 3. Рассеяние электронов на акустических колебаниях решетки . 467 § 4. Время релаксации электронов проводимости в атомном полупроводнике и металле ................... 471
§ 5. Теория деформационного потенциала в кубических кристаллах
с простой зонной структурой ................ 476
§ 6. Рассеяние электронов проводимости в ионных кристаллах на
колебаниях решетки .................... 481
§ 7. Рассеяние электронов проводимости на заряженных и нейтральных атомах примесей.................... 488
Глава IX. Кинетические процессы (явления переноса) в полупроводниках ......................... 494
§ 1. Введение......................... 494
§ 2. Определение неравновесной функции для электронов проводимости в случае сферически-симметричной зоны....... 497
§ 3. Электропроводность невырожденных полупроводников с простой зонной структурой .................. 502
§ 4. Термоэлектрические явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой ............. 506
§ 5. Гальваномагнитные явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой ............. 513
§ 6. Термомагнитные явления в невырожденных полупроводниках
с простой зонной структурой................ 520
§ 7. Явления переноса в полупроводниках с простой зоной при
произвольном вырождении................. 527
§ 8. Явления переноса в полупроводниках типа германия и кремния ............................ 533
§ 9. Явления переноса в полупроводниках со сферической непараболической зоной..................... 5Г3
§ 10. Эффект «фононного увлечения» в полупроводниках..... 557
§ 11. Квантовая теория гальвано- и термомагнитных явлений в
полупроводниках..................., . 56~>
Приложения............................ 574 Андрей Иванович Ансельм
введение В ТЕОРИЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
