Теория экситонов - Агранович В.М.
Скачать (прямая ссылка):
конфигураций в примесной молекуле § 3. Локальные состояния в
окрестности вакансий и молекул примеси. Роль резонансного
взаимодействия между примесью и молекулами основного вещества
§ 4. Поляризация примесного поглощения в молекулярных
кристаллах § 5. Экситонные состояния в смешанных молекулярных
кристаллах
ГЛАВА VII
ЕСТЕСТВЕННАЯ ОПТИЧЕСКАЯ АКТИВНОСТЬ И КРУГОВОЙ
ДИХРОИЗМ
§ 1. Введение
§ 2. Тензор у fmn (ш; s) в молекулярных кристаллах § 3.
Некоторые соотношения для дипольно-разрешенных экситонных
состояний в гиротропных кристаллах. Форма зон при малых k и
свойства волновых функций § 4. Тензор у fmn (ш; s) в
кристаллах, состоящих из негиротропных молекул § 5. Тензор y тп
(ш; s) в кристаллах, состоящих из гиротропных молекул
§ 6. Дисперсия оптической активности молекулярных кристаллов и
круговой дихроизм § 7. Экспериментальные исследования
дисперсии оптической активности кристаллов
ГЛАВА VIII ТЕОРИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЭКСИТОНОВ
§ 1. Введение
§ 2. Феноменологическая теория поверхностных экситонов без
учета запаздывания
§ 3. Феноменологическая теория поверхностных экситонов при
учете запаздывания
§ 4. Микроскопическая теория поверхностных экситонов в
молекулярных кристаллах без учета запаздывающего
взаимодействия § 5. Микроскопическая теория поверхностных
экситонов в молекулярных кристаллах при учете запаздывающего
взаимодействия
172
177
185
194
202
204
207
212
215
219
221
224
228
233
235
243
246
247
257
261
269
ГЛАВА IX
МИГРАЦИЯ ЭНЕРГИИ ЭЛЕКТРОННОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ В
КРИСТАЛЛАХ
§ 1. Механизмы переноса
§ 2. Длина свободного пробега и коэффициент диффузии
локализованных экситонов в молекулярных кристаллах § 3. Длина
свободного пробега и коэффициент диффузии свободных экситонов
в молекулярных кристаллах § 4. Рассеяние свободных экситонов
на примесях и дефектах кристаллической структуры § 5. Захват
экситонов в молекулярном кристалле примесными молекулами § 6.
Феноменологические уравнения диффузии экситонов § 7.
Макроскопические характеристики экситонной люминесценции в
условиях сильной реабсорбции § 8. Экспериментальные
исследования кинетических параметров, определяющих перенос
энергии электронного возбуждения в молекулярных кристаллах, и
сравнение результатов этих исследований с теорией
ГЛАВА X
СТАТИСТИКА И КОЛЛЕКТИВНЫЕ СВОЙСТВА ФРЕНКЕЛЕВСКИХ
ЭКСИТОНОВ § 1. Метод приближенного вторичного квантования §
2. Представление операторов Паули через операторы Бозе § 3.
Коллективные свойства идеального газа паулионов § 4.
Коллективные свойства френкелевских экситонов при учете
динамического взаимодействия между ними § 5. Фермиевский
характер френкелевских экситонов в одномерных молекулярных
кристаллах Приложение. Диагонализация гамильтониана,
квадратичного относительно бозе-амплитуд Литература
274
278
282
288
294
308
319
337
349
352
356
361
366
369
372
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие
Введение
ГЛАВА I
ЭКСИТОННЫЕ СОСТОЯНИЯ в ПРИБЛИЖЕНИИ ГАЙТЛЕ РА - Л ОН ДОНА
§ 1. Экситоны в кристалле с неподвижными молекулами.
Расщепление
молекулярных термов в кристалле . . .
§ 2. Кулоновские и механические экситоны
§ 3. Применение теории групп для определения поляризации и
правил отбора при экситонном поглощении света. Вырождение
экситонных термов
§ 4. Теория трип летных экситонов
ГЛАВА II
ТЕОРИЯ ЭКСИТОНОВ МАЛОГО РАДИУСА В ПРЕДСТАВЛЕНИИ ВТОРИЧНОГО
КВАНТОВАНИЯ
§ 1. Оператор энергии кристалла с неподвижными молекулами в
представлении вторичного квантования
§ 2. Экситонные состояния при учете только одного
возбужденного уровня молекулы. Переход к приближению Гайтлера
- Лондона § 3. Экситонные состояния (при учете только одного
возбужденного уровня молекулы) без использования приближения
Гайтлера -
Лондона
§ 4. Экситонные состояния при учете нескольких молекулярных
уровней
(смешивание молекулярных конфигураций)
§ 5. Теория возмущений. Сравнение с результатами, полученными
в приближении Г айтлера - Лондона
§ 6. Правила сумм для сил осцилляторов Экситонных переходов и
гипо-
хромный эффект
§ 7. Экситон-фононное взаимодействие. "Локализованные"
экситоны . . . § 8. Электронно-колебательные (вибронные)
возбуждения в молекулярных кристаллах
§ 9. Расчет экситонных зон в антрацене
7
9
21
27
35
44
49
52
58
61
69
71
77
82
90
4
ОГЛАВЛЕНИЕ
ГЛАВА Ш
ТЕОРИЯ ЭКСИТОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИ УЧЕТЕ ЗАПАЗДЫВАЮЩЕГО
ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МЕЖДУ ЗАРЯДАМИ
§ 1. Оператор энергии кристалла при учете запаздывающего
взаимодействия 101
§ 2. Дисперсия элементарных возбуждений и коэффициент
преломления электромагнитных волн в кристалле. Операторы
напряженности
электрического и магнитного поля 106
§ 3. О радиационной ширине экситонных состояний 117
§ 4. Тензор диэлектрической проницаемости и феноменологическое
рассмотрение длинноволновых экситонов в кристаллах 119
§ 5. Радиационная ширина и спектр экситонных состояний в
одномерных и двумерных молекулярных кристаллах 127
