Гальванотехника в декоративном искусстве - Однралов Н.
Скачать (прямая ссылка):
А:
+
Ъ//А///ААААААААА/АААААА/аЛ
А
A
+
37. Схема силового поля при разном расположении катода и анода в электролите:
а — глубокое погружение электродов в электролит, б — электроды находятся у поверхности электролита, в — электроды у поверхности, внизу экран
ние экрана, защищающего уже наращенную нижнюю часть формы (на этой стадии рабочей является углубленная часть формы); в — установка экрана при погружении выступающих частей формы до
зеркала электролита; г — окончательное погружение формы в электролит, при котором полностью покрывается верх формы.
По такому же принципу наращивается металл внутри монолитных форм. Способ наращивания путем последовательного погружения формы в электролит по мере отложения металла требуемой толщины ясен из рис. 40: а — первый этап погружения формы, б — следующий этап погружения с экранированием отложенного металла при помощи изоляции, виг — стадии дальнейшего погруже-„„ , . " ния (показано перемещение
38. Анод, изолированный по торцу: границы заКрытия отложенного 1 — анод, 2 — рамка из полихлорвинилового г г
шланга металла изолирующим слоем).
Металл обычно закрывают в формах изолирующим слоем при помощи расплавленного парафина. Такая изоляция имеет существенное значение для регулирования толщины отлагаемого слоя.
Края формы и все ее детали, имеющие достаточную толщину, следует по мере наращивания металла тщательно закрывать изоли-
39. Способ наращивания при постепенном погружении с экранированием черновой формы:
1 — экран
W
рующим слоем, чтобы избежать образования отдельных дендрйтов в плохо закрытых изоляцией местах.
Другой способ регулирования отложения металла заключается в разделении монолитных форм на отдельные пояса, не связанные
+
40. Способ наращивания при постепенном погружении и экранировании
монолитной формы: 1 — отверстие для впуска электролита, 2 — линия экранирования
между собой проводящим слоем. На рис. 41 изображена такая форма; ее пояса снабжены самостоятельными питающими проводниками, которые постепенно подключают к источнику тока таким образом, что после достаточного наращивания металла на данном поясе соответствующий проводник отключают и подключают соседний.
.При изготовлении такой формы предварительно устанавливают и закрепляют проводники, служащие контактами, к проводящему слою данного пояса.
Просушенную и затем пропитанную восковой композицией форму подготовляют к нанесению электропроводящего слоя. При этом форму разделяют внутри обычными электроизоляционными лентами, которые плотно наклеивают на внутреннюю ПОЛОСТЬ формы, 41. Способ наращивания с секцио-
разделяя ее таким образом на • нированием по поясам:
отдельные пояса а, б, в я т. д. "¦ б' в- г- д6', е7 f ^„ики % 3'4'5>
Пояса должны быть непременно горизонтальными. Таким же образом можно изолировать и отдельные глубокопрофилированные детали формы, снабжая их самостоятельными проводниками.
Подготовленную форму покрывают проводящим слоем, после чего наклеенные изоляционные ленты снимают; в результате пояса или отдельные углубленные элементы формы оказываются изолированными друг от друга, так как вместе с лентами удаляют проводящий слой.
Наращивание начинают с наиболее углубленных деталей формы, в данном примере с пояса а, включая питающий проводник 7; по отложении в этом поясе требуемой толщины металла питающие проводники его отключают и включают проводник 6 и т. д.
После отложения металла на участках а я б форму из ванны вынимают и наносят проводящий слой на место, где была наклеена изоляционная лента, затем сращивают два пояса формы. После этого включают следующий пояс и таким образом последовательно наращивают металл на всю форму.
Для получения изолирующего слоя в процессе наращивания металла на сложнопрофилированные формы (в особенности при изготовлении бесшовных бюстов в монолитных формах) применяется способ изоляции уже наращенных мест (где не требуется дальнейшего отложения металла) при помощи четыреххлористого углерода, который заливают в форму, пользуясь"тем, что его удельный вес больше удельного веса электролита, так что он находится под слоем электролита, не смешиваясь и не реагируя с ним.
Для получения в процессе гальванопластики равномерного слоя металла можно применять периодическое изменение направления постоянного тока. Такое реверсирование тока препятствует росту металла на выступающих и острых элементах форм вследствие того, что анодное растворение металла в период подключения его к аноду происходит наиболее интенсивно именно на остриях и выступающих частях.
Ток переключают так, что он в течение 2—40 сек отлагает металл на катоде, а затем в течение 0,5—5 сек растворяет отложенный металл. Таким образом, при реверсировании тока наращиваемая форма включается в качестве анода только на короткие промежутки времени и в течение продолжительного времени остается катодом.
Анодное включение катода прерывает процесс роста кристаллов, что отражается на характере последующего роста кристаллов: вместо крупнозернистой столбчатой получается мелкокристаллическая структура меди. Реверсирование тока сопровождается повышением рассеивающей способности электролита, а отложения металла становятся более светлыми, плотными, без шероховатостей.
