Радиоаматор - Січкар С.М.
Скачать (прямая ссылка):
От полевых транзисторов вертикальной структуры типа IRFxxx они отличаются меньшей крутизной и меньшим напряжением включения. Транзисторы 2SK1058,2SJ162 обладают лучшей комплиментар-ностью, по сравнению с вертикальными полевыми транзисторами.
Внимание! На корпусе транзисторов - вывод ИСТОКА.
Параметры транзисторов для справки показаны на рис.З-рис.5.
2SK1056, 2SK10S7, 2SK1058
Outline
54
1. Gate
2. Source (FlW)
3. Dran
Absolute Maximum Ratiags (Ta - 2УС)
Item Symbol Ratings Unit
Drain Із source voltage 2SK1056 Vwx 120 V
2SK1057 140
2SK1Q58 160
Gate to source voltage ±1S V
Drain cunert 7 A
Body to drain diode reverse drain current U 7 A
Channel draeapabon Pdt*1 100 W
Ctiannei temperature Tch 150 0C
Storage temperature Tstg -SSto+150 °С
Note: 1. Value at Tc = 25aC
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item Symbol Min тур Max Unit Testconditkms
Drain to source 2SK1D56 _ Vepibis, 120 — — V I0-10 mA. V01 .-IOV
breakdown vottage 25K1D57 140
2SK1058 160
GaJe to source breakdown voltage V«™, ±15 - - V Ia-±100 JIAjVm = O
Gate to source cutoff voltage Vc.. Гі 015 — 1.45 V !„.ЮОША.У^.ЮУ
Drain to source saturation voltage Vum - - 12 V l„=7A,V,„.0"
Forward transfer admittance W 0.7 1.0 1.4 S I0 = SA1Vm=WV
input capacitance Chs — 600 - PF Vm = SV1 Voa =IOV,
Output capacitance Сою - 350 — PF t- 1 MHz
Reverse transfer capacrtance Crsa — 10 — PF
Turn-on time U — 180 - ns Vtc-20 V1I0-4 A.
Turn-off bme J-_ - 60 — ns
Note" 1. PUsetesJ
Рис.4
PA 5 '2011 2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
Power vs. Temperature Deratmg
Ма*«тнмп Safe Operation Area
ч
\ \
\
N
50 100
CaseTemperature Tc <*C)
Typical Output Charactemocs
5 10 20 50 100 200 500 Dram to Source VoIUge V5ja (V)
TypeaJ Trarvster Characteristics
I I
S3" to V Tc = 25 *C
у t
I \
і ** < »5
ь S»
V — [-? *
<
^Ofl
I
«3 0.4
с
I
tO 20 30 40 50 Drain to Source Vwtagc Voa (V)
0.4 0.8 1.2 18 20 Gate to Source VoIUpe Vqs (V)
Автор не рекомендует применение в усилителе электролитических конденсаторов с температурным параметром 105°С по «звуковым» соображениям.
мостов поставить электролитические конденсаторы 4700 мкФ, после них последовательно резисторы 1W 10 Ом и непосредственно на плате вышеупомянутые 470 мкФ Nichicon KZ.
При повторении УМЗЧ в корпусе «Одиссея» были использованы более простые и доступные компоненты. Установленные заводские конденсаторы К50-35 15000 мкФ / 63 В оставлены в источнике питания (ИП) и дополнительно шунтированы полипропиленовыми конденсаторами 1 мкФ / 160 В. В каждом конкретном случае необходимо измерить их емкость и ток утечки, а затем принимать решение о замене. Лучше всего заменить их новыми по авторским рекомендациям. На плате усилителя установлены добавочные емкости 4700 мкФ / 63 В ELZET CD294, шунтированные Samwha WB 1000 мкФ / 63 В и WIMA 1,0 мкФ. Конденсаторы ELZET оказались на редкость удобными для установки на плату из-за малой высоты - 32 мм. По параметрам они весьма привлекательны из-за низкого значения ESR и больших импульсных токов.
Сборка усилителя
Пайка печатной платы проводилась серебросодержащим припоем, все «силовые» дорожки дополнительно пропаяны сверху медной жилой диаметром 1 мм. В точки пайки контактов выходных транзисторов вставлены медные пистоны. После окончания пайки остатки флюса смыты бензином Галоша. Для этой же цели можно использовать изопропиловый спирт (изо-пропанол).
Сами выходные транзисторы установлены на радиаторы через керамические прокладки из оксида бериллия, предназначенные для транзисторов КТ827 (см. фото 2) или КТ805-КТ809. Не рекомендуется использовать прокладки из силикона, фторопласта и др. из-за низкой теплопроводности, а слюдяные прокладки дают высокую емкость, выход УМЗЧ - земля, так как истоки выходных транзисторов находятся на подложке и выведены на средний вывод корпуса.
Прокладки из оксида бериллия обладают самой высокой теплопроводностью, примерно такой же, как и алюминий. Керамика на основе окиси алюминия вчетверо хуже по этому параметру, но в данном усилителе вполне применима. Установка через прокладки позволяет снизить емкость «выход-земля» до величины примерно 250...300 пФ и обеспечивает отсутствие самовозбуждения УМЗЧ на больших амплитудах сигнала. Поверх выходных транзисторов на изолирующих стойках монтируется плата самого усилителя, при этом сформованные выводы выходных транзисторов вставляются в отверстия на печатной плате и паяются. Конструкция установки транзисторов показана на фото 2.
(Продолжение следует)
о ш я
S
it о
X X
CQ СО
О
O-
U
о
CQ
о >
CQ СО
CQ H-
U ш
T <
о ^
о
U
-Q CQ
15
Фото 2 Ремонт ЖК телевизора Philips
Андрей Бутов, с. Курба, Ярославской обл.
Современный широкоформатный ЖК телевизор модели Philips-26PFL3403S/60 вскоре после окончания гарантийного срока стал самопроизвольно переключаться из рабочего в дежурный режим через случайные промежутки времени, а через несколько дней перестал и вовсе переходить из дежурного режима в рабочий.
