Энциклопедия практической электроники - Рутледж Д.
ISBN 5-94074-096-0
Скачать (прямая ссылка):
2N4123 2N4124
50 120
25 60
250 300
2.5 3,0
50 120
150 360
0,3 0,95
4,0 8,0
200 480
6,0 5,0
В В
МГц
пФ пФ
ДБ
10 7,0
3,0
2,0
1,0
_Cibo
Cobo
0,2 0,3
0,5 0,7 1,0 2,0 3,0 5,0 7,0 10
Напряжение обратного смещения, В
20 30 40
Рис. 4.55. Зависимость емкости перехода от обратного напряжения
ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКТУЮЩИХ [465
Малосигаальные характеристики в области звуковых частот и коэффициент шума
Рис. 4.56. Зависимость коэффициента шума от частоты
16 Энциклопедия практической электроники
[46б| ПРИЛОЖЕНИЕ4
h-параметры
300
200
100
70
50
30
0,1
0,2
0,5 1,0 2,0
lc, ток коллектора, мА
5,0
10
Рис. 438. Зависимость коэффициента усиления по току от токо коллектора
100
50
20
10
у
/
,___^
0,1
0,2
0,5 1,0 2,0
Ic1 ток коллектора, мА
5,0
10
Рис.439. Зависимость выходной проводимости от тока коллектора
0,2
0,5 1,0 2,0
lc, тюк коллектора, мА
10
Рис4.61. Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению оттока коллектора
16*
[468] ПРИЛОЖЕНИЕ4
Статические характеристики
2,0
= о
M
~ о S3 с
0,1 0,2 0,3 0,5 0,7 1,0 2,0 3,0 5,0 7,0 10 20 30 50 70 100 200
Ic1 так коллектора, мА
Рис4.62. Зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора
V O-
а) t
X E
с 2
. о
O E > *
1,0 0,8 0,6 0,4 0,2 0
T I I I j=25°C -I I I
і \
= 1 ь лА = 10 Ic= =3 D Ml \ I I I — л nn А -
Ic = Ic мА С —
0,01 0,02 0,03 0,05 0,07 0,1 0,2 0,3 0,5 0,7 1,0 2,0 3,0 5,0 7,0 10
їв, ток базы, мА
Рис4.63. Характеристики в области насыщения коллектора
ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКТУЮЩИХ І469І
T = 25 0C
vbe(s Ht) @1с/ Ib =1 D
—== Ve e@ Vc e = 1 e
vce(-S ot) @ІС/ 'Ib =1 0
1.0
0,8
0,6
0,4
0,2
1.0 2,0
5,0 7,0 10 20
lc, ток коллектора, мА
50 70 100
200
Рис 4.64. Зависимость напряжения отпирания от тока коллектора
1,0
0,5
а> 0
-0,5
¦1.0
¦1.5
-2,0
+ 250C д э +1250C
от
0vc для Vce(s 0 -550C д о +250C
от
-550C дс + 250C
от
0VB ЗЛЯ vbe(SO 0 + 250C дс з +1250C
О 20
40 60 80 100 120 140 160 180 200 Ic, ток коллектора, мА
Рис 4.65. Зависимость температурных коэффициентов от тока коллектора
[470І ПРИЛОЖЕНИЕ4
Размеры корпуса
Посодочная площадка
Сечение X-X
Модель 1 Выбоды:
1 - эмишер
2 - база
3 - коллектор
Размер Дюймы Миллиметры
MIN МАХ MIN МАХ
А 0,175 0,205 4,45 5,20
В 0,170 0,210 4.32 5.33
С 0.125 0,165 3,18 4,19
D 0,016 0.022 0.41 0.55
F 0.016 0,019 0,41 0.48
G 0,045 0.055 1,15 1.39
' H 0,095 0.105 2.42 2.66
J 0.015 0.020 0.39 0.50
К 0,500 --- 12.70 ---
L 0,250 --- 6.35 ---
N 0,080 0,105 2.04 2.66
P --- 0,100 --- 2.54
R 0,115 2.93 ---
V 0,135 --- 3.43 ---
Рис 4.66. Размеры корпуса 029-04 (TQ226AA), серия AD
Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом J308, J309, J310
Основное применение: усилители в схемах УКВ диапазона.
J308. J309, J310
Рис 4.67. Транзисторы J308, J309, J310 и их
стиль 5°Т0-92 (Т0-226АА) СХЄМНОЄ обоЗНОЧЄНИЄ
Таблица 4.19. Максимально допустимые значения параметров полевых транзисторов J308, J309, J310
Параметр Обозначение Значение Единицы измерения
Напряжение сток-исток 25 в
Напряжение затвор-исток U0S 25 в
Прямой ток затвора 'GF 10 мА
Полная рассеиваемая мощность при Тд = 25'С PD 350 мВт
Диапазон рабочих температур перехода Tj -65...+125 •с
Диапазон температур хранения ^stg -65...+150 •с
ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКТУЮЩИХ Щ\]
Таблица4.20. Электрические характеристики полевых транзисторов J308, J309, J310
Параметр
Обозначение
Значение ' min среднее max
Единицы измерения
Характеристики в запертом состоянии
Напряжение пробоя затвор-исток U1
(lG =-1,0 мкА, U08 = O)
Обратный ток затвора (U08 = -15 B1 UD8 = 0,TA = 25-C) (Uq8 = -15 B1 UD8 = 0,TA = +125-C)
Напряжение отсечки затвор-исток (Uq8 = 10 В, L= 1) U1
