Энциклопедия практической электроники - Рутледж Д.
ISBN 5-94074-096-0
Скачать (прямая ссылка):
1 4 8
Vr, обротное напряжение, В
Рис. 4.16. Зависимость емкости от обратного напряжения для MVAM108_
J44T| ПРИЛОЖЕНИЕ 4
500
10
3 5 7
Vr1 обратное напряжение, В
Рис. 4.17. Зависимость емкости от обратного напряжения для MVAM109
500
"е
с
а E о о
щ 100 (J
50
MVAM 15
2 6 10 14 18
Vr, обратное напряжение, В
Рис. 4.18. Зависимость емкости от обратного напряжения для MVAM115
10
10 14 18
Vr, обратное напряжение, В
22
Рис. 4.19. Зависимость емкости от обратного напряжения для MVAMI25
Кремниевый транзистор п-р-п типа
с высоким коэффициентом усиления P2N2222A
26
P2N2222A
Рис. 4.20. Транзистор P2N2222A
Коллектор
Боза 2
Корпус 29-04, модель 17 ТО-92 (Т0-226АС)
Эмиттер 3
Таблица 4.11. Максимально допустимые значения электрических и тепловых параметров транзистора P2N2222A
Параметр
Обозначение Значение Единицы
измерения
Электрические характеристики
Напряжение коллектор-эмиттер UCEO 40 В
Напряжение коллектор-база исво 75 В
Напряжение эмиттер-база UEBO 6,0 В
Коллекторный ток •с 600 мА
Полная рассеиваемая мощность при TA = 25 'С P0 625 мВт
Полная рассеиваемая мощность при TA = 125 *С P0 1,5 Вт
Диапазон рабочих температур и температур хранения TJ' Tstg -55...+150 •с
444І ПРИЛОЖЕНИЕ 4
Таблица4.11. Максимально допустимое значения электрических и тепловых параметров транзистора P2N2222A (окончание)
Параметр Обозначение Значение Единицы _измерения
Тепловые характеристики
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда R9^ 200 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус RqJ0 83,3 °С/Вт
Таблица4.12. Электрические характеристики транзистора P2N2222A
Параметр
Обозначение Значение min max
Единицы измерения
Характеристики в запертом состоянии
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (1с = 10 мАсІс, lB = 0) U(BR)CEO 40 - В
Напряжение пробоя коллектор-база (lc = 10 мкАас, lE = 0) Цвн)СВО 75 - В
Напряжение пробоя эмиттер-база (IE = 10 мкАас, IC = 0) U(BR)EBO 6,0 - В
Коллекторный ток отсечки (UCE = 60 В,"VEB = 3,0 В) 1CEX - 10 нА
Коллекторный ток отсечки (UCE = 60 В, lE = 0) (UCE = 60 В, 1Е = 0,ТА=150 °С) 1CBO - 0.01 10 мкА
Эмиттерный ток отсечки (Ug8 = 3,0 В, lc = 0) 1EBO - 10 нА
Коллекторный ток отсечки (UCE = 10 В) 1CEO - 10 нА
Базовый ток отсечки (UCE = 60 В, UEB = 3,0 В) 1BEX _ 20 нА
¦XE(sat)
'BElsat)
Характеристики в открытом состоянии
Коэффициент усиления постоянного тока hFE
I0 = 0,1 мА, UCE=10B
I0 = 1,0 мА, UCE= 10 В
I0= 10 мА, UCE= 10 В
lc = 10 мА, UCE = 10 В, ТА = -55 °С
1с = 150мА, UCE=10B
lc = 150 мА, UCE=1,0B
Іс = 500мА, UCE=10B
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Ur
(lc= 150 MAdC11в = 15мА) (lc = 500 MAdc, 1в = 50 мА)
Напряжение насыщения база-эмиттер Uc
(lc = 150 MAdc, 1в = 15мА) (lc = 500 MAdc, I6 = 50 мА)
Малосигнальные характеристики
Предельная частота коэффициента передачи тока (lc = 20 мА, UCE = 20 В, f = 100 МГц) Выходная емкость (UCB = 10 В, lE = 0, f = 1,0 МГц) Входная емкость (UEB = 0,5 В, lc = 0, f = 1,0 МГц) Входное сопротивление (lc = 1,0 мА, UCE = 10 В, f = 1,0 кГц) (lc = 10 мА, UCE = 10 В, f = 1,0 кГц) Коэффициент обратной связи по напряжению
I0= 1,0 мА, UCE= 10 В, f = 1,0 кГц)
I0= 10 мА, UCE= 10 В, f = 1,0 кГц) N
Коэффициент усиления тока в режиме малого сигнала с = 1,0 мА, UCE = 10 В, f = 1,0 кГц с= 10 мА, UCE= 10 В, f = 1,0 кГц
Выходная проводимость
; 1,0 мА, UCE = 10 В, f = 1,0 кГц с = 10 мА, UCE= 10 В, f = 1,0 кГц
°iBO
Пи
h„
35 50 75 35 100 50 40
0,6
300
2,0 0,25
50 75
5,0 25
300
0,3 1.0
1,2 2,0
8,0 25 8,0 1,25
8,0 4,0
300 375
35 200
МГц пФ пФ
кОм
хЮ"4
мкСм
ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКТУЮЩИХ pJ4S\
Таблица4.12. Электрические характеристики транзистора P2N2222A (окончание)
Параметр Л Обозначение Значение Единицы _min max измерения
Постоянная времени коллектор-база
1Е=20мА,исв = 20В,т = 31,8МГц тсв - 150 пс
Коэффициент шума (ic = 1,0 мА, UCE = 10 В, f = 1,0 кГц) NF - 4,0 дБ
Характеристики в режиме переключения
Длительность задержки UCC = 30B, , td - 10 не
Длительность фронта UBE = -2,0 В, tr - 25 не
1с = 150мА,
1В1 =15 мА
Время накопления заряда Ucc = 30 В, ts - 225 не
Длительность спада . I0= 150 мА, Ц - 60 не
Idi = ioo =15 мА
Эквивалентные схемы для тестирования
Om 1,0 до 100 мке Скбажность=2,0%
+ 16 В
От 1,0 до 100 мке Скбажность=2,0%
Cs«<10pF
Длительность фронта импульса осциллографа < 4 не
*0бщая шунтирующая емкость тестобых зажимоб, соединителей и осциллографа.
