Энциклопедия практической электроники - Рутледж Д.
ISBN 5-94074-096-0
Скачать (прямая ссылка):
20 ,-,-,-г--.... , -,-1—--1-
Бросок токо подается при номинальной нагрузке
1,0 2,0 3,0 5,0 7,0 10 20 30 50 70 100
Количество перио.доЬ
Рис 4.10. Максимальный ток перегрузки_
зо
0,03 1-1-1-1-1-1--1-1-1-1-¦—1
0 4,0 8,0 12 16 20 24 28 32 36 40
Vr1 обротное напряжение, В
Рис. 4.11. Типовые значения обратного тока k _
[438] ПРИЛОЖЕНИЕ4
Индексы в скобках (А) и (К) относятся к аноду и катоду соответственно. Значения тепловых сопротивлений для элементов таковы: ч
о RgL = 100 °С/Вт типовое и 120 °С/Вт максимальное; о ReJ = 36 °С/Вт типовое и 46 °С/Вт максимальное.
Примечание 4. Работа прибора на высоких частотах
Поскольку в диоде Шоттки ток возникает благодаря основным носителям заряда, его нельзя рассматривать как диод на р-п переходе, где равновесие прямого и обратного токов устанавливается благодаря инжекции неосновных носителей и накопленному заряду. Проанализировать работу диода можно, воспользовавшись моделью, содержащей идеальный диод и параллельно включенный конденсатор переменной емкости. График зависимости емкости диода от приложенного обратного напряжения показан на рис. 4.12.
200 _
10 1-1-L-J—L-LJ-1-1-1-1-1—I—1—'Ml-1-1-1-1
0,4 0,6 0,8 1,0 2,0 4,0 6,0 8,0 10 20 40
Vr , обратное напряжение, В
Рис. 4.12. Модель диода с емкостью_
Измерения эффективности выпрямления показывают, что диод работает удовлетворительно до частот в несколько мегагерц. Например, на частоте 2 МГц относительная эффективность выпрямления колебаний равна 70%, то есть отношение мощности сигнала постоянного тока к среднеквадратическому значению мощности в нагрузке составляет 0,28 на этой частоте, тогда как при идеальном выпрямлении для входного синусоидального сигнала это отношение должно составлять 0,406. Однако, в отличие от обычных диодов на р-п переходе, потери в эффективности выпрямления не влияют на потерю мощности: это просто результат протекания обратного тока через емкость диода, что приводит к уменьшению выходного постоянного напряжения.
ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКТУЮЩИХ [439
Размеры корпуса
Рис. 4.13. Внешний вид диода, корпус 59-04, серия M
Q
Таблица4.8. Размеры корпуса 59-04, серия M
Размер
Миллиметры
min
max
Дюймы min max
5,970 6,600
2,790 3,050
0,760 0,860 27,940
0,235 0,110 0,030 1,100
0,260 0,120 0,034
Примечание к табл.
1. Следует применять все правила, связанные со стандартом JEDEC DO-41.
2. Полярность указывается полоской на катоде.
Варикапы MVAM108, MVAM109, MVAM115, MVAM125
Эти варикапы разработаны для электронной настройки AM радиоприемников и применения в устройствах, где требуется высокий коэффициент перестройки и большая емкость.
Характеристики варикапов:
о высокое емкостное отношение: CR = 15 (минимум) для MVAM108, 115, 125; о гарантированная емкость диода: C1 = 440 пФ (минимум) - 560 пФ (максимум) при UR = 1,0 В, f= 1,0 МГц для MVAM108, 115, 125; о гарантированная добротность: Q = 150 (минимум) при UR = 1,0 В, f = 1,0 МГц.
Таблица 4.9. Максимально допустимые значения параметров варикапов
Параметр Обозначение Значение Единицы измерения
Обратное напряжение MVAM108 Ur 12 в
Обратное напряжение MVAM109 Ur 15 в
Обратное напряжение MVAM115 Ur 18 в
Обратное напряжение MVAM125 Ur 28 в
Прямой ток I0 50 мА
Рассеиваемая мощность при TA = 25 •с P0 280 мВт
Диапазон рабочих температур (при подаче обратного напряжения) и температур хранения для р-п перехода TJ(pk)- Tstg -55...+125 •с
44O] ПРИЛОЖЕНИЕ 4
MVAM108 MVAM109 MVAM115 MVAM125
Корпус 182-02, модель 1 (ТО-22ЄАС)
2 2 ,
Komog о-1|<3-о Анод
Варикоп
Эти приборы разработано фирмой Motorola
Рис. 4.14. Внешний вид и схемное обозначение варикапов
Таблица 4.10. Электрические характеристики варикапов
Характеристика
Обозначение
Значение min среднее max
Единицы измерения
Напряжение пробоя (lR= ЮмкА) MVAM108
Напряжение пробоя (lR = ЮмкА) MVAM109
Напряжение пробоя (Ir= 10 MKA)MVAM115
Напряжение пробоя (Ir = ЮмкА) MVAM125
Обратный ток (Ur = 8,0 В) MVAM108
Обратный ток (Ur = 9,0 В) MVAM109
Обратный ток (Ur = 15 В) MVAM115
Обратный ток (Ur = 25 В) MVAM125
Температурный коэффициент
емкости диода (UR = 1,0 В,
f = 1,0 МГц, ТА = -40 *С...+85 *С)
Емкость корпуса (f = 1,0 МГц, длина вывода 1/161)
Емкость диода (UR = 1,0 В,
f = 1,0 МГц) MVAM108, 115, 125
Емкость диода (UR = 1,0 В, f = 1.0 МГц) MVAM109
Добротность (Ur = 1,0 В, f = 1,0 МГц, длина вывода 1/16 дюйма)
Емкостное отношение (f = 10 МГц) MVAM108
Емкостное отношение (f = 1,0 МГц) MVAM109
Емкостное отношение (f = 1,0 МГц) MVAM115
Емкостное отношение (f = 1,0 МГц) MVAM125
•"br(r)
¦"br(r)
¦"br(r)
•"br(r) Id
Сс C1
C1
Q С1/С8 С1/С9 С1/С15 С1/С25
12 15 18 28
440 400 150 15 12 15 15
100 100 100 100
435 0,18 500 460
560 520
В
В
В
В
нА
нА
нА
нА
ррт/°С пФ пФ пФ
ХАРАКТЕРИСТИКИ КОМПЛЕКТУЮЩИХ [44Т
+
о
Рис4.15.Типовая схема применения варикапа в AM радиоприемнике
1000
500
MVAM 08
