Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Фалькевич Э.С. -> "Технология полупроводникового кремния" -> 160

Технология полупроводникового кремния - Фалькевич Э.С.

Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф. Технология полупроводникового кремния — М.: Металлургия, 1992. — 408 c.
ISBN 5-229-00740-0
Скачать (прямая ссылка): tehpolkremniya1992.djvu
Предыдущая << 1 .. 154 155 156 157 158 159 < 160 > 161 .. 162 >> Следующая


173. Нашелъский А.Я., Гнилое С.В. Расчеты процессов выращивания легированных монокристаллов. — М.: Металлургия, 1981. — 91 с,

174. Burton G.A., Prim R.C., Slichter W.P. //Theoretical J. Chem. Phys. 1953. V. 21. Р. 1987—1991.

175. Машков Ю.М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания. — М.: Металлургия, 1982. - 311 с.

176. Романенко В.Н. Получение однородных полупроводниковых кристаллов. - М.: Металлургия, 1966. —182 с.

177. Бевз В.E., Meeuyc В.И., Пулънер Э. О//Цветные металлы. 1985. N0 7. С. 54—56.

178. Meeuyc В.И., Пулънер Э.О. //Цветные металлы. І985. N0 9. С. 56-58.

179. Селицкий Ф.И., Макеев Х.И., Зоткин В.Е.//Цветные металлы. 1988. N0 3. С. 55—57.

180. HorizaneK., WittA.F., GatosH.GJ?. Electrochem. Soc. 1967. V. 114. P. 738-742.

181. Милевский A.C., Эйдензон А.М., Гврнык B.C. и др.//Легирование полупроводников. -М.: Наука.-С. 140-148.

182. WittAS., Gatos H.G./fl. Electrochem. Soc- 1966. V. ИЗ. N0 7-8. р. 808-813.

183. Сальник З.А., Эйдензон А.М., Калюжная С.И., Назаркин В.Н. //Электронная техника. Материалы. Вып. 1.1981. С. 43—46.

184. Бевз В.Е., MeeuycВ.И., Пулънер Э.О./IЦветные металлы. 1983. № 13. С. 59-61.

185. Hirata H., Inoue N. //Japan. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. V. 23. N0 8. P. L228-L530.

186. Roberts D.H., Stephens Р.Н., HuntP.H.f/N&taxe. 1957. V; 180. N® 4587. P. 665—666.

187. Yatsurugi /., Akiyama N., Endu J., Moxaki Т./fl. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. N0 7.

. P. 975-979.

188. Hass C.//J. Phys. Chem. Soc. I960. V. 15. P. 108-113.

189. Волле B.M., Маковеиквя B.M, Вавилов В.С.//ФТТ. 1962. Т. 4. Вып. 5. С. 1374-1378.

190. BeurettA., Thiboult-DessauxJ., Seidman D.N.I'/J. Appl. Phys. 1984. V. 55. N0 4. Р. 825—836.

191. Bailey W.E., Bowling R.A., Bean К.Б./ІЇ. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. W 7. P. 1721-1725.

192. Monknski IR.//Sol. State Techn. 1983. V. 24. M0 7. P. 44-51.

193. Гускина Л.Г., Фалъкевич Э.С //Цветные металлы. 1987. N0 9. С. 58—59.

194. Fuller C.S., Logen R. W. Appl. Phys. 1957. №12. P. 1427-1436.

195. Ohsawa A., Takiztwa R., Honda K. a.o.//J. Appl. Phys. 1982. V. 53. N0 8. P. 5733-5737.

196. Бокова Б.И., Гришин В.П., Дудин B.B., Янчевская В.А.ЦНауч. тр. Гиредаета. Т. HO. — М.: Гиредмет, 1982. С. 18-21.

197. Никитин В.М., Туровский Б.М., Мильвидский М.Г.//Науч. тр. Гиредмета. Т. 25. — М.: Металлургия, 1969. С. 82—94.

198. Hiroshi H., Keigo Я.//1ар. J. Appl. Physics. 1980. V. 19. N0 8. Р. 1573-1574. .

404
199. Бевз В.Е., Критская Т.В., Фалъкевич Э.С,//Электронная техника. Материалы, іам

Вып. 2. С. ,48-50. -

200. Дашевский М.Я., Критская TJB., Пулънер Э.О. //Электронная техника. Материалы.

1983. Вып. 2. С. 43-46.

281. Ремизов O.A., Сальник ЗА. IIЭлектронная техника. Материалы.-1980. Вып. 3. С. 37—45.

202. Макеев Х.И., Эйдензон Л.М.//Изв. АН СССР: Неорганические материалы. 1984. Т. 20. С. 541-546.

203. Nozaki Т., Yatsurugi Y., Akiyama N.flI. Hectrochem. Soc. 1970. V. 117. N0 12. Р. 1566-1571.

204. SuminoK., Ymai М.//Philosophical Mag. 1983. V. 47. N0 5. P. 753-766.

205. Kolbesen В.О., MUhlbauer A.//Sol. State Electronics. 1982. V. 12. N0 5. P. 759-775.

206. Lerouelle /.//Phys. Status Solidi. 1982. V. A74. N0 2. P. 159-163.

207. Cleland J. W.//I. Electrochem. Soc. 1982. N0 9. P. 2127-2132.

208. Бабицкий Ю.М., Гринштейн Л.М., Ильин М.А. и др.//Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т. 22. N0 5. C- 744—748.

209. Критская Т.В., Неймарк К.Н., Шкляр Б.Л.//Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1986. Т. 23. N0 6. С. 1038-1039.

210. Бевз В.Б., Критекая Т.В., Фалъкевич Э.С, Феофанова И.В. //Применение углеродных материалов в цветной металлургии: Сб. науч. тр. НИИГрафит. - М.: ШШИЦвеїМеї,

1989. С. 100-103.

211. Баграев Н.Т., Витовский H.A., Власенко Л.С. и др.//ФТП. 1983. Т. 17. Вып. И. с. 1979—

1984.

212. Jonenada J., Sumino /С.//Japan J. Appl. Phys. 1984. V. 23. N0 3. P. L590—L592.

213. Danyluk S., Lim D.S., Kaleys G.IU. Mater. Sei. Lett. 1985. V. 4. N0 9. P. 1135-1137.

214. Fraundorf P., Fraundorf Т.К., Scikura RH I. Appl. Phys. 1985. V. 58. N0 11. P. 4049-4055.

215. Swaroop RB.//Solid State Techn. 1983. V. 26. N0 6. P. 111-114.

216. Kishino S., Matsuehita Y., Kmamori M.HAppl. Phys. Lett. 1973. N0 35. P. 213.

217. Гарун Я. Основы технологии сверхбольших интегральных схем: Пер. с япоиск. Лазарева В.А./Под ред. В.Г. Ржанова. — М.: Радио и связь, 1985. — 273 с.

218. Воронков В.В., Гришин В.П., Лайнер Л.В.ЦИзв. АН СССР. Неорганические материалы.

1982. Т. 18. № 9. С. 1440-1443.

219. Helmreieh D., SirtlRlU. Cryctal Growth. 1986. V. 79. N0 1-3. Р. 562-571.

220. SirtlB.//Solar Cells. 1983. N0 10. P. 101—108. '

221. Березенко Л.Е., Фалъкевич Э.С./Цветные металлы. 1985. N0 5. С. 69—70.

222. A.c. 687654 СССР. Способ получения полых кремниевых трубIB.R Бевз, Л.Е. Березенко, С.И. Гашенко и др.//Открытия. Изобретения. 1987. N0 11. С. 302.

223. Keck PM., GrolayMJIlet. Phys. Rey. 1953. V. 89. N0 3. Р. 1297-1303.

224. Emeis R. IIZ. Natuiforsch. 1954. Bd 9а. N0 1-5. S. 67-72.
Предыдущая << 1 .. 154 155 156 157 158 159 < 160 > 161 .. 162 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed