Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Электротехника -> Фалькевич Э.С. -> "Технология полупроводникового кремния" -> 156

Технология полупроводникового кремния - Фалькевич Э.С.

Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червоный И.Ф. Технология полупроводникового кремния — М.: Металлургия, 1992. — 408 c.
ISBN 5-229-00740-0
Скачать (прямая ссылка): tehpolkremniya1992.djvu
Предыдущая << 1 .. 150 151 152 153 154 155 < 156 > 157 158 159 160 161 .. 162 >> Следующая


Для защиты от прикосновения к находящимся под напряжением частям установок применяют изолирующие устройства и приспособления, дистанционное управление, блокировки и предохранительную сигнализацию.

В случае поражения электрическим током необходимо срочно оказать первую помощь пострадавшему. Основными условиями успеха при этом являются спокойствие, находчивость, быстрота действий, знание и умение оказывающего помощь.

Если пострадавший не может самостоятельно освободиться от токоведущих частей, то необходимо немедленно отключить электроустановку или, если это сделать не удается, отделить пострадавшего от действия тока, для чего следует надеть диэлектрические перчатки и боты, действовать изолирующими клещами. После этого необходимо расстегнуть его одежду, стесняющую дыхание, создать приток воздуха и обеспечить полный покой.

397
Если у пострадавшего отсутствуют сознание, дыхание, пульс, а зрачки широкие, следует немедленно приступить к оживлению организма с помощью искусственного дыхания. Наиболее эффективным способом искусственного дыхания является изо рта в рос или изо рта в нос, так как при этом обеспечивается приток воздуха в легкие пострадавшего [298]. Вдувание воздуха можно проводить через марлю, носовой платок или через воздуховод.

Искусственное дыхание проводят непрерывно до прибытия врача.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Ренъян В.Р. Технология полупроводникового кремния: Пер. с англ./Под ред. Ю.М. Шашкова. — М.: Металлургия, 1969. — 335 с.

2. Салли И.В., Фалъкевич Э.С. Производство полупроводникового кремния (рост кристаллов кремния). — М.: Металлургия, 1970. — 152 с.

3. Металлургия поликристаллического кремния высокой чистоты/Лап идус И.И., Коган Б.А., Перепелкин В.В. и др. — М.: Металлургия, 1971. —143 с.

4. Металлургия и технология полупроводниковых материалов/Сахаров Б.A., Вигдо-рович В.Н., Маслов В.Н. и др. — М.: Металлургия, 1972. — 544 с.

5. Нашелъский А.Я. Производство полупроводниковых материалов. — М.: Металлургия, 1982. - 312 с.

6. Нашелъский А.Я. Монокристаллы полупроводников. — М.: Металлургия, 1978. — 202 с.

7. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. — М.: Металлургия, 1982. — 352 с.

8. Landolt—Bomstein A. Zahlenwerte und Frunktionen aus Naturwissenschaften und Technik. Neue Serie Gruppe III: Kristall—und Festkorperphysik. Band 17. Halbleiter. Teilband Technologie von Si. Ge und SiC.-Berlin, Heidelberg, New York, Tokyo: Springer—Verlag, 1984.-654S.

9. Plaskett T.S.//Trans, AIME. 1965. V. 233. P. 809-812.

10. Abe T., Samizo T., Maruyame A.llJap. J. Appl. Phys. 1966. V. 5. P. 458—463.

11. Фалъкевич Э.С., Веселкова A.A., НеОмарк К.Н./Кремний и германий. — М.: Метал-

лургия, 1970. — Вып. 2. — С. 42-46.

12. Kock A.J.R.//1. Elektrochem. Soc. 1971. V. 118. N0 11. Р. 1851-1856.

13. Веселовская Н.В., Шейхет Э.Г., Неймарк КН., Фалъкевич Э.С./Рост и легирование

полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч. U. — Новосибирск: Наука, 1977. — С. 284-288.

14. Homstra J.IIJ. Phys. Chera. Solid. 1958. V. 5 (1/2). Р. 129—141.

15. Милъвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. — М.: Металлургия, 1984. — 256 с.

16. Джексон К.А., Ульман Д., Хант Дж.ЦПроблемы роста кристаллов: Пер. с англ. — М.: Мир, 1968. С. 27-28.

17. Алфинцев Г. А., Овсиенко Д.Е. //Рост и несовершенства металлических кристаллов. — Киев: Наукова думка, 1966. С. 40—53.

18. Современная кристаллография. Т. З./Чернов A.A., Гиваргизов ЕЖ, Багдасаров Х.С. и др. — М.: Наука. — 1980. — 407 с.

19. Салли И.В., Фалъкевич Э:С. Управление формой роста кристаллов. — Киев: Наукова думка, 1989. — 250 с.

20. Степанов A.B.//Вестник машиностроения. 1959. N0 5. С. 49—53.

21. Родес Р.Г. Несовершенства и активные ценірьі в полупроводниках: Пер. с англ. — М.: Металлургия, 1968. - 371 с.

22. Bauer fi Single Crystal Films. — Perganon, London: Eds. M.H. Francombe and H. Sato, 1964. - P. 45.

23. Вилъке K.—T. Выращивание кристаллов. — JI.: Недра, 1977. — 600 с.

24. Zulehner W./lS. Crystal Growth. 1983. V. 65. P. 189-213.

25. A.c. 331608 СССР. Способ выращивания монокристаллов кремния, ориентированных в направлении [111]/Блецкак Н.И., Березенко Л.Б., Веселкова А.Н. и др.//Открытия. Изобретения. 1978. N0 38. - С. 213.

26. A.c. 331607 СССР. Способ выращивания монокристаллов кремнияІН.И. Блецкан, Э.С Фалъкевич, Л.Н. Березенко и др.//Открытия. Изобретения. 1978. N0 38. С. 213.

27. A.c. 356873 СССР. Способ получения двойниковых кристаллов кремния/ Н.И. Блейкан, Э.С Фалъкевич, Л.Б. Березенко и др.//Открытия. Изобретения. 1973. N0 27. С. 183.

399
28. Шефталъ H.H., Березенко Л.Е., Фалъкевич Э.С.ЦПроцессы реального кристаллообразования. — М.; Наука, 1977. С. 64—68.

29. Березенко Л.Б., Фалъкевич Э. С. //Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок ' полупроводников. — Новосибирск: Наука, 1981. С. 143—146.

30. Палатник Л.С., Ilanttpoe H.H. Ориентированная кристаллизация. — М.: Металлургия, 1964.-408 с.
Предыдущая << 1 .. 150 151 152 153 154 155 < 156 > 157 158 159 160 161 .. 162 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed