Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Зальцман Л.Г. -> "Спутник гальваника" -> 26

Спутник гальваника - Зальцман Л.Г.

Зальцман Л.Г., Черная С.М. Спутник гальваника — К.: Тэхника, 1989. — 191 c.
ISBN 5—335—00257—3
Скачать (прямая ссылка): sputnik_galvanika.djvu
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 42 >> Следующая


60. Дефекты оксидных покрытий на черных металлах

11алет красно-ры-

Избыток щелочи Раствор разбавн

Температура кипения доя и довести превышает flJ^cf 6Г° ^™6

10-20 г,

Недостаток щелочи Добавить

доР140У^ 6

Низкая концентр ция Откорре. ту

ОКСИДИРОВАНИЕ МЕДИ И ЕЕ СПЛАВОВ

Оксидирование производится электрохимическим либо химическим способом (табл. 61). Оксидное покрытие имеет черный цвет.

ФОСФАТИРОВАНИЕ СТАЛИ

Фосфатная пленка имеет темно-серый или черн-лп цв т и кристаллическую структуру. Толщина фосфатной пленки колеблется от 7 до Ю мкм и зависит от механической обработки, способа подготовки поверхности к покрытию, а также от состава раствора и режима фосфатирования Пленка является хорошим грунтом под лакокрасочное .юкрытие. Для повышения коррозионной стойкости плен ки ее промасливают.

Для фосфатирования применяют npei араг «Мажеф» (35 г/л). Его растворяют, отстаивают и определяют общую кислотность титрованием децинормальным раствором щелочи (от 16 до 60 мл на 10 мл раствора) в присутствии фенолфталеина. После декантации растьора определяют свободную кислотность титрованием децинормальным раствором щелочи (2—5 мл на 10 мл раствора) в присутствии метилоранжа.

При фосфатировании поддерживают температуру раствора, близкую к температуре его кипения Процесс заканчивается после прекращения выделения водорода Для ускорения процесса фосфатирования и понижения рабочей температуры раствора вводят различные добавки (табл. 62).

УДАЛЕНИЕ ДЕФЕКТНЫХ ПОКРЫТИЙ

На гальванических покрытиях не должно быть шероховатостей, темных пятен, дендритов, отслаиваний, непокрытых участков Для исправления брака дефектное покрытие удаляется и наносится новое.

Удаление покрытий без заметного ухудшения качества поверхности детали \-омю проводить в растворах, составы которых приведены в табл. 63.

61. Растворы для оксидирования меди и ее сплавов


Содержание,
Температура, 0C
Продолжи-
P )< ТКИ. MF-,
Примечание

Едкнй натр
125-200
S0-95
10—20
Детали выдерживают 2— < мин Сез TOt по-
0, А/дмв, после чего процесс электролиза идет при плотности ток 1,5—2,5 А/дм2






Едкий натр Надсернокислий калий
50—100 15—30
55-65
5—10
Детали из латуни и бронзы предварител„но меднятся на толщину 3—5 мкм

Oci •1BF' я углекислая медь 25 %-нь:й раствор аммиака
50 200 мл
18—25
20-30
Предназначен для оксидирования латуни

Вид покрытия Материал основы

Серная кислота ------ _ 184)

------Тм)

Сернокислое з; кис не j

Фтористый натрий

Медь и ее сплавы Азотнокислый натрий

Оксид сурьмы Вода

е Соляная кислот; (плотность 1.19)

Вид покрытия Материал о

Состав раствора

Окисное, иг днрования

способом Окисно-фторид-

и Сталь IM Медь и ее Магний и

Алюминий

Едкий натр ) Хромовый ai

а —5—10 А/дм

ш и 1ии 1 "Г 1 5)

H ^ у.Пьф ^ Н'Ч,

«пер. т -ре ООО "С в те

и I. pp. кт. pr.j путем анодио

юкрытня - IO

ПРИМЕНЕНИЕ ХИМИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

Современный этап развития микроэлектроники характеризуется расширением совокупности технологических операций, обеспечивающих получение высоконадежных микросхем с большой степгн ю интегр иции и необходимыми электрическими характеристиками.

Существ! иное ме .ocpi тэтой овокушости заним ют химические и электрохимические операции, которые применяются на различных этапах производства Например, химическая обработка полупроводниковых приборов в зависимости от их типа проводится для удаления механически нарушенного слоя полупроводника и очистки поверхности. В ряде случаев химическую и электрохимическую обработку применяют для получения заданного -ельефа noBi рхносги пл тгины, вытравлт вания окон в маскирующих слоях, получения контактных площадок и т. д.

Подготовка деталей к гальваническим покрытиям.

Подготовка деталей микросхем к покрытию чаключаегея в удалении с их поверхн к ш различных загрязнений с помощью обезжиривания и травления химическими гли ЭЛ1 ктрохимическими способами. Детали микросхем (например, крышка корпуса, дно, выводная рамка и другие), изгоговл_нны штамповкой или другими механическими способами, обезжириваются в четыреххлористом углероде. Если это не дает хороших результатов, детали обезжиривают в других веществах с учетом того, что минеральные масла растворяются в органических растворителях, а жиры животного и растительного происхождения — в щелочных растворах

Электрохимическое обезжиривание поверхности петлей микр| схем производят в электролите состав которого приведен в табл. 13 (состав 1). После обезжиривания 1етал.1 промывают в горячей (35—40 °С) и холодной, про-

Для удаления оксидюй пленки, обра вавшейся при естественном окислении деталей н^ воздухе, поверхность деталей декапируют (травят) химическим или электрохимическим Iiyi.'M.

Детали из ковара или стали последов; гельно травят в азотной и соляной кислотах, медные детали в соляной кислоте. Время гргв -имя в а ют ной кислоте 3^-4 а в соляной — 30—35 с (при комнатной температуре). Дека-
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 42 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed