Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Лебедев И.В. -> "Кристаллизация из растворов в химической промышленности" -> 28

Кристаллизация из растворов в химической промышленности - Лебедев И.В.

Лебедев И.В., Эльцуфен М.И., Коган В.В. Кристаллизация из растворов в химической промышленности — М.: Химия , 1986. — 304 c.
Скачать (прямая ссылка): kristalizaciyaizrastvorov1968.djvu
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 123 >> Следующая

Была предложена также гипотеза «молекулярного контакта» [37], предполагавшая способность частиц адсорбировать на своей поверхности ионы или молекулы кристаллизуемой соли, повышая тем самым их местную концентрацию.
Определенную роль в стимулировании образования центров кристаллизации могут играть микротрещины и углубления на поверхности посторонних частиц и на стенках аппаратов. В этом случае значительно уменьшается величина поверхности равновесного зародыша, а следовательно, и работа его образования [97].
В производственной практике ускоряющее действие примесей на процесс образования зародышей используется для модифицирования структуры металлов и сплавов, т. е. придания им мелкокристаллической структуры путем введения специальных добавок — модификаторов [98—100].
Итак, нерастворимые примеси могут оказывать существенное влияние на величину пересыщения, при котором начинается кристаллизация растворов. Особенно велико влияние этого фактора при работе кристаллизаторов открытого типа, в которых обычно происходит затравливание растворов в результате попадания в них частичек пыли кристаллизуемого вещества из воздуха производственных помещений.
Влияние других фанторов
Электрическое поле, наложенное на пересыщенный расплав или раствор, в ряде случаев увеличивает скорость образования зародышей. В. Кондогури [101] обнаружил это явление при кристаллизации салола и пиперина. Позднее другие авторы установили, что под действием электрического поля резко возрастает количество центров кристаллизации в переохлажденных расплавах [102, 103] и пересыщенных растворах [104—108].
Было установлено [107], что скорость образования зародышей под действием электрического поля в растворах таких веществ, как NH4C1 или NH4Br, резко возрастает (пропорционально пересыщению и квадрату напряженности поля), для других веществ (NaCl, КС1, KI) выражено менее резко или очень слабо (Cdl2), а на некоторые растворы электрическое поле вообще не оказывает никакого воздействия (NiS04, CuS04), точно так же, как и на некоторые переохлажденные расплавы (азобензол, дифениламин, бетол, антипирин) [109, 110].
В литературе есть сведения [111, 112] о резком увеличении скорости возникновения центров кристаллизации под воздействием высоковольтного искрового разряда, причем для некоторых веществ (NaCl, NH4C1) установлено существенное различие в действии положительного и отрицательного зарядов.
Поскольку в настоящее время только начато изучение влияния электрического поля, еще рано говорить о механизме его
воздействия на пересыщенные расплавы и растворы; высказываются лишь некоторые предположения. Так, Френкель полагает, что при наложении электрического поля изменяется вероятность полимеризации молекул. Возможно и уменьшение энергии активации образования зародышей [106].
По мнению других авторов [6], молекулы (особенно сложные) можно рассматривать как диполи, которые поляризуются в электрическом поле и, как результат; определенным образом ориентируются, вызывая увеличение скорости образования зародышей. Высказывается предположение [104, 105], что это действие вызвано попаданием на поверхность раствора мельчайших частичек кристаллизующегося вещества, которые всегда есть в атмосфере рабочего помещения. Эти частички, перемещаясь под влиянием электрического поля по его силовым линиям, попадают в раствор.
Магнитное поле также может повышать скорость возникновения зародышей. Так, при кристаллизации пиперина было обнаружено [101], что под действием магнитного поля число зародышей увеличивается во много раз, возрастая приблизительно пропорционально напряженности поля. Подобные же результаты были получены и в работах по кристаллизации азобензола, дифениламина, бетола [113—115] и виннокаменной кислоты [116].
Действие магнитного поля связывают либо с уменьшением энергии активации на величину работы поворота молекулы в магнитном поле [114], либо с уменьшением работы образования критического зародыша [116].
Радиоактивное излучение снижает устойчивость переохлажденных расплавов и пересыщенных растворов.
Было установлено [117—119], что под влиянием излучения значительно возрастает скорость образования зародышей в пиперине, салоле, я-дихлорбензоле и сере. Гамма-облучение переохлажденного я-дихлорбензола [120] уменьшает его максимально возможное переохлаждение с 16—25° С до 7—12° С, если мощность экспозиционной дозы облучения 0,43 р/сек. Увеличение же мощности облучения до 2 р/сек не влияет на дальнейшее уменьшение переохлаждения.
Были сообщения о том [121, 122], что радиоактивное излучение увеличивает скорость образования зародышей в пересыщенном растворе сульфата калия. При этом предполагается [122], что заряженные частицы, испускаемые радиоактивным веществом, способствуют образованию центров кристаллизации.
2- Рост кристаллов
После возникновения в условиях пересыщенного раствора устойчивых зародышей на их поверхности начинает отлагаться растворенное вещество. Величина линейной скорости роста 81
кристалла (или увеличение его массы со временем) является основной характеристикой этой второй стадии процесса кристаллизации.
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 123 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed