Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Хамакава Й. -> "Аморфные полупроводники и приборы на их основе" -> 96

Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.

Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Под редакцией докт.техн.наук С.С. Горелика — М.: Металлургия, 1986. — 376 c.
Скачать (прямая ссылка): amorphnye-poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 90 91 92 93 94 95 < 96 > 97 98 99 100 101 102 .. 153 >> Следующая

Рис. 5.1.27. ВАХ и структура солнечного элемента на основе a-Si нового типа с оптическим удержанием (Уос = 881 мВ, ?se = 16,1 мА/см2,А"3 = 64,5%),к.п.д. = = 9,17 %, площадь 0,032 см2, ОИО -оксиды индия-олова, SUS - нержавеющая сталь)
231
230
Солнечные элементы на основе гетероперехода a-Si/поликристаллический полупроводник
Предлагается новый тип структуры солнечного элемента, сочетающий солнечный элемент на основе a-Si с поликристаллической пленкой из полупроводникового материала с узкой шириной запрещенной зоны. В силу большей ширины запрещенной зоны в a-Si (1,7 эВ) по сравнению с кристаллическими полупроводниками, используемыми для изготовления солнечных элементов (например, 0,66 эВ для Ge 1,1 эВ для Si и 1,43 эВ для GaAs) эффективность собирания носителей для спектра солнечного облучения в элементах на основе a-Si значительно ниже по сравнению с солнечными элементами на основе кристаллического материала. В последнее время был проведен ряд систематических исследований по получению поликристаллических тонких пленок широкого набора классических полупроводников методами химического осаждения из газовой фазы, содержащей металлоорганические соединения, осаждения из молекулярных пучков, реактивного распыления, осаждения из ионных пучков и др. Путем сочетания этих методов с графоэпитаксиальным ростом на тексту-рованной подложке из инородного материала были получены поликристаллические пленки с большим размером зерен.
В качестве предварительных экспериментов в этом направлении авторы разработали солнечный элемент на основе кремния a-Si, осажденного на поликристаллический кремний р-типа. Структура этого элемента и его В АХ представлены на рис. 5.1.28. Как следует из приведенных результатов, при этом получен к.п.д. > 11 %. В настоящее время ведутся активные исследования в направлении выбора материала и экономических
17,5 fJ--1
п мх-Si
ш ,
ГІГ \\
ОНО ? р лк-Si Al (Р)
0,6. Vout,B
1,2
Рис. 5.1.28. ВАХ структура солнечного элемента, который в качестве слоя для поглощения длинноволновых фотонов содержи^ поликристаллический кремний. Структуры такого типа могут также формироваться на тонкопленочных подложках из поликристаллического ЄаАв или Се (Уос = 1324,2 мВ, 1!С = = 15,7 мА/ см2; КЗ = 53,4 %, к.п.д. =; = 11,1 %, площадь 0,033 см2, ОНО -' оксиды индия-олова)
232
о
о ее со
а -
° §
8 &

3 2 х S"
о X * S я о. >. и
4 о. 8 S
Iй.
!2
0 00
«а
СО со ... я
1 *
X ti
j » 4 >> s 5
К о я f-S v u ,о
2 ї . оч
о в н Я,
чо
О х •&
-і о. . о
5
и
я (0
s °
S х
2.
о
о
ч©
г-
чо *о
о
г-
> Ж .,
> ж
і сл ..
о. 1. « в.
.ж .л
& So
и X,
ge-
о > е
л х
о. »5
"? „ : г ; s ї 2 о
s * & ь
о, о ..... їм
к s
ш
•в*
о « > о Н en о- Н
<|>
3
X і
и о.
«U
х сл о >
У. Си
4 ы
и ей
о о
о о
ЧО
г-
ЧО
о
о о
г- CQ
в 5
сл х I >>
о о
о о о о
оч г-4
ЧО ЧО
о чо ип сп
о
о ^ .« о
Є-я
сл Н
й °
2 S -5
ja а и ы о S | с
с
о >>
о з ^ г1 а U ся о Н сл
є! г
ЧСЗ —і _^
СУ, ^- CP; ЧС5 г* S О О 0_ W о_ О О О О О О О
О О О О О О О О О О О О —і 00 —I —I —I Г- —I
О -н г- О »0 О О оо <^ оч г-^ Г~1 es
U-) ЧО W-) U-) ЧО ЧО
VO ^. СО ^ п о
Tf' - - - -
Оч Оч
о о о о
ОЧ
о
О О П 00 «Г) О 00 00 ОЧ
сч 00 с» оо с-
О О 00 О О О V) О ~Н 00 U-> СП Г-Оч 00 ОЧ Г- 00 00 00
fS ОЧ ЧО __
ЧО w г~1 00 СП 00^ ОЧ.
г- іл ^ с^ ^
Си
ж .5 .- ж
14 сл
c-S. s ся X с О "О 5;'сл 5 ОАО
Н 5
Я2Н.
•• о сл s: e? о
— '(Л м сл —
і ь < « < 'сл _о.Ж ^-Ж s о ^ О ^
g s: сл 5: сл
с; О я О я
сл
СЛ щ
S; сл
О ta
Ж
о
с
сл
<ж ж ж
'сл сл
оо о о
о
3
о
С5
о «г
О CN
Оч
чо О о
СП с5
ЧО ЧО ЧО
СП с» о

С-Ї СП
-4 И ЧО
О Оч о
00 00
00 00 Оч
00 ЧО ЧО
00_ГП СП
ЧО f ЧО
о о
о
Ж
а. Ж Ж
'сл <я ОСО
' Ж
о un
ЧО
Ж
О с сл
СГ
5: о
233

о
&
о со
«
СЗ
s
.Et
і?
асл it «о.
X
Et
^ < * H 3 » *: <
X
S. u i> и я
s
* o- н
?ua
¦* W їґ
X
Et О О .
* о <" оМ
О S
Є 3 ?
о п

lectr

ы ъ Ъ
Electr "Mitsubishi "Fuji Electr 'Siemens" "о Electri
"Fuji 'Sanj Fuji
о с
Ei СЗ
X Ei СЗ
M
о >> с
X -с
*~ fr
>> H Я
Filial
X
Ei CS
M
о A в ьГ M X X о S
. ся
и с
о о 1,00 100,0 (N 100,0 100,0 6,45 0,04 0,05 0,25 0,04 0,09 0,25 0,03
о о о о о о О о 92,3 100 100 о о о о о о о о о о о о
62,4 67,6 61,0 65,2 VO о о т)г О г-~ 62,1 66,0 55,9 61,7 57,0 57,0 56,0
14,06 14,0 14,12 13,9 ЧО ЧО OS о" о" о" 9,78 16,7 13,2 8,35 6,74 9,62 10,84
о 00 00 С-1 СП 00 7320 о 00 ООО ОСЛО 00 00 00 о ¦* 00 VO о 00 чо u-i 00 2200 1410 1370
7,72 7,88 о г' 00 ! - О j-_o V> TIT Ю un СЧ 1/-> 0>" Tf" <N ¦Ч-' 8,50 7,73 8,30
< ¦
Я
°3
сл
5; сл.
О сз
о
&
о
я я
00
<
у
СЛ СЗ
О. О
о. н
•л <->
4 * Л
* cu О.
5S-I
О ce О
сл
СЗ
О. С
¦g
tu Я
?
Да 5: сл
О СЗ
tu
я
сл
а cu Я
я
сл
"сЬ
о.
н
о
Si
ц- о,
її
—' Я
; °р •-
сз й с
ft н' Я ° Si §, fr'? о-
с
сз щ .g. X
-iL 5*-iL «и о ^ou .¦ 5 <я S; сл
5 О CS О сз
Cu о
Я
¦ 1-І сл
"? А
в о.
о. Я
^ cu
S; сл
О сз
234
і? SI S
U Я
ce A a;
Предыдущая << 1 .. 90 91 92 93 94 95 < 96 > 97 98 99 100 101 102 .. 153 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed