Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Хамакава Й. -> "Аморфные полупроводники и приборы на их основе" -> 145

Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.

Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Под редакцией докт.техн.наук С.С. Горелика — М.: Металлургия, 1986. — 376 c.
Скачать (прямая ссылка): amorphnye-poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 139 140 141 142 143 144 < 145 > 146 147 148 149 150 151 .. 153 >> Следующая

На рис. 7.3.8 показаны изменения пропускания пленок ТеО ira стеклянных подложках с различными величинами отношения Те/О при нагреве вплоть до 300 °С. Пропускание свежеосажденных пленок зависит от атомного соотношения; оно уменьшается с увеличением содержания Те. На каждой кривой имеется некоторая критическая точка, выше которой пропускание ступенчато падает. Температура перехода также зависит от атомного отношения, причем она уменьшается с ростом содержания Те от 130 °С при х = 1,2 до 80 °С при х = 0,8. На пленках с более низкими температурами перехода можно ожидать более высокой чувствительности при оптической записи.
Для оценки стабильности пленок ТеО^ по отношению к температуре и влажности образцы пленок на стеклянных подложках длительное время выдерживали в сухой атмосфере при 50 °С и во влажной атмосфере при 40 °С и относительной влажности 90 %. На рис. 7.3.9 показаны типичные кривые уменьшения пропускания пленок ТеО^ с различным атомным отношением. Как видно из рис. 7.3.9, а, при температуре 50 °С пленка, обогащенная Те (х = 0,8), заметно деградирует через несколько суток. Напротив, пленки с низкой концентрацией Те (х — 1,1 или 1,2) не деградируют в течение 50 сут. Результаты свидетельствуют о том, что на образце с более высокой температурой перехода (см. рис. 7.3.8) деградация выражена слабее. На основании полученных данных можно ожидать удовлетворительной температурной стабильности пле-
I
х=1,2 а

/

0,5
\ 0,8/
0 , I il i
0,1
6
х = 1,2
1,1
I/. I I , i i
10 100 0,1 I
Время выдержки, срт
10
100
Рис. 7.3.9. Временная стабильнобть пленок ТеОх после длительной выдержки при 50 °С (о) и при 40 °С с относительной влажностью 90 % (б)
353
нок ТеО^ при х > 1,1. Из рис. 7.3.9, б следует, что ход кривых при высокой влажности фактически аналогичен. Пропускание пленки, обогащенной Те (х = 0,8), резко падает, а затем восстанавливается. Этот факт можно объяснить тем, что вначале происходит фотопотемнение за счет термической кристаллизации, а далее наступает осветление благодаря процессу окисления во влажных условиях. Эта тенденция коррелирует с деградационными характеристиками обычных поликристаллических пленок, свойства которых быстро ухудшаются в условиях высокой влажности. Можно заключить, что пленки ТеО^ состава х = 1,1 чрезвычайно устойчивы по отношению к дальнейшему окислению, т.е. они устойчивы в условиях высокой влажности.
I_I_I I_._I '
О 1 2 о 1 2
Тц, мин
Рис. 7.3.11. Профиль распределения компонентов по толщине тонкой пленки ТеОу (ОЭС).
а - свежеосаждеиной; б - после термообработки при 250 °С в течение 5 мин; /дг -
нормированная интенсивность сигнала; т5 - время распыления
На рис. 7.3.10 показаны показатель преломления и и коэффициент экстинкции к пленок ТеО^ сразу после осаждения (7) и после термообработки при 250 °С в течение 5 мин (2). На свежевыращенных подложках значения п и к непрерывно возрастают с уменьшением х начиная от значений и = 1,8 и к = 0 для Те02 и кончая значениями п = 4,6 ик = = 2,3 для Те. Эти параметры увеличиваются по мере нагрева, причем на обогащенных теллуром образцах приращение весьма велико. Такой результат, аналогичный поведению пленок аморфных полупроводников [34], можно объяснить кристаллизацией пленок при термообработке.
Для изучения механизма записи на пленках ТеО проводили химический и структурный анализы [30]. На рис. 7.3.11 показан профиль состава (Те, О) по глубине, снятый методом ОЭС на пленке ТеОх 1 сразу после осаждения и после термообработки. Распределение интен'сивнос-тей сигналов, связанных с атомами Те и О, по глубине однородно как на свежих, так и на термообработанных образцах. Результаты показывают, что после нагрева количество кислорода не меняется.
Рентгенодифракционный анализ показал, что свежеосажденные пленки ТсО^ аморфны, а после термообработки на спектре возникал слабый пик Те, свидетельствующий о незначительном упорядочении фазы Те. Кроме того, упорядочение кристалла изучалось с помощью анализа радиальной функции распределения рассеянных рентгеновских лучей. Результаты этого анализа свидетельствуют о наличии пиков, приписываемых Те—Те-связям, и увеличении степени упорядочения кристалла после термообработки. Проводился трансмиссионный электронно-дифракционный анализ "записанных" лазером микроточек. В "записанных" точках происходила кристаллизация, тогда как в остальных областях пленки сохранялось аморфное состояние.
На рис. 7.3.12 показаны спектры рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, полученные на пленке Те01 Эти результаты наводят на мысль о том, что пленки ТеО^ состоят из Те и"Те02. После термической обработки отношение интенсивностей ионов Те и металлического Те не менялось.
Рис. 7.3.12. Спектры рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии на тонких пленках Те01 ^
7 - свежеосажденных; 2 - после термообработки (250 °С, 5 мин)
570 500
Энергия связи, эв
355
354
Магнитно-оптические запоминающие материалы
За последние несколько лет в Японии заметно возрос интерес к магнитно-оптическим запоминающим материалам обладающим возможностью легкого стирания информации, так как характеристики "стираемое™" оптических запоминающих материалов, упомянутых выше, оказались плохими. В качестве стираемой среды исследуются аморфные сплавы некоторых РЗМ, такие как ТЬРе, СаТЬРе и СаСо. Они не принадлежат к ряду аморфных полупроводников и упоминаются здесь ввиду их важности в технологии оптических материалов для ЗУ большой емкости.
Предыдущая << 1 .. 139 140 141 142 143 144 < 145 > 146 147 148 149 150 151 .. 153 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed