Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Хамакава Й. -> "Аморфные полупроводники и приборы на их основе" -> 142

Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.

Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Под редакцией докт.техн.наук С.С. Горелика — М.: Металлургия, 1986. — 376 c.
Скачать (прямая ссылка): amorphnye-poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 136 137 138 139 140 141 < 142 > 143 144 145 146 147 148 .. 153 >> Следующая

7.3.2. Тонкопленочные халькогенидные ЗУ большой емкости
Поликристаллические тонкие пленки теллура и некоторых хелько-генидов [31] известны как среда, образующая "ямки". Однако в условиях высокой влажности эти пленки деградируют. В данном случае исследования были сосредоточены на повышении стабильности тонких пленок, используемых для записи, при сохранении их высокой чувствительности к излучению инжекционного лазера. Ниже описаны некоторые халькогенидные пленки на основе Те (Те-С, Te-Se и Te-CS2).
Тонкие пленки Те-С
Пленки Те-С на. дисковых подложках из полиметилметакрилата (ПММА) изготавливались реактивным распылением Те в смеси газов СН4 и Ar [26]. Пленки содержали около 3 % (по массе) углерода и небольшое количество водорода. Оптические константы пленок измерялись по длине волны 550 нм методом эллипсометрии; пленки Те-С имели ПП = = 3,3, который близок к ПП пленок Те. Коэффициент экстинкции пленок Те-С равнялся 1,1, а для пленок Те коэффициент экстинкции 3,5. Поэтому на пленках Те-С оптическое поглощение ниже, чем на пленках Те. Эксперименты по оптической записи проводились с помощью He-Ne-лазера (Х= 633 нм) с длительностью импульсов 500 не. Для считывания использовался немодулированный лазерный луч мощностью 0,5 мВт, который не превышал порог мощности при записи. На рис. 7.3.1 показаны кривые зависимости степени контрасности от лазерной мощности при записи [26] . Контраст сигнала за счет "записанных" ямок определился из соотношения (S, 52)/(S, + S2). где S, и S2 - интенсивнос-
345
23 - 537
2 4 6 в Мощность лазера, мВт
ТГА ^ ——^ ^j-1 S 1 & V ^
ДТА Л 2 1 / \ 1 \
______.—ч/"^> х 1 1 ...
200
600
т,°с
Рис 7 3 1. Сравнение характеристик записи на дисках: 1 - Те-С (Те-С/ПММА); 2 - Те (Те/ПММА)
Рис. 7.3.2. ДТА- и ТГА-пленки Те-С при изменении температуры со скоростью
10 °С/мин в азоте [ 26 ]:
1 - плавление; 2 - кристаллизация
ти света, отраженного соответственно от исходной поверхности и области ямок. Из рисунка видно, что диск Те—С, несмотря на сравнительно низкое оптическое поглощение, обладает низким порогом записи, что свидетельствует о более высокой чувствительности к записи по сравнению с диском Те.
Природа высокой чувствительности диска Те-С изучалась с помощью термогравиметрического (ТГА) и дифференциального термического (ДТА) анализов Те-С-пленки. Как показано на рис. 7.3.2, уменьшение массы пленки Те-С достигает 23 % при тепловом разложении, сопровождаемом экзотермическим эффектом, соответствующим кристаллизации вблизи 140 °С Поэтому природу высокой чувствительности пле-
Недепя Месяц
1 \ \
J0 100
время, супі
346
Рис 7 3 3 Изменение коэффициента отражения Д Я на дисках из Те-С (Те-С/ПММА) (7) и Те (Те/ПММА) (2) при 70 С и 85 % относительной влажности в процессе выдержки. Измерения коэффициента отражения проводились при длине волны 633 им I 26]
нок Те—С можно интерпретировать как следствие их низкотемпературного разложений. Кроме того, вклад в высокую чувствительность вносит также низкая температуропроводность пленок Те—С.
На дисках Те—С и Те проводились ускоренные испытания напряженного состояния в условиях 70- и 85 %-ной влажности для оценки стабильности дисков. Из результатов, приведенных на рис. 7.3.3, следует, что после выдержки в течение 60 сут деградация пленок Те—С отсутствует, тогда как пленки Те деградирует очень быстро. Ожидается, что в реальных условиях работы долговечность дисков Те—С превысит 10 лет.
Тонкие пленки TeSe
Сообщалось о новом оптическом материале для ЗУ большой емкости — тонкой пленке Те с добавлением Se. Отмечалось, что добавление Se в аморфные пленки As-Te резко повышает стабильность во влажных условиях [32]. Аналогичные результаты получились и в случае пленок Те с присадкой Se. На рис. 7.3.4 показана электронно-микроскопическая фотография пленок Те и TeSe, полученных напылением на подложку из NaCl. Добавление Se к Те в несколько раз увеличивает размер зерен и заметно улучшает стабильность во влажных условиях. Оптические свойства пленок TeejSe^, которые выдерживались в условиях 95 %-ной влажности, не менялись в течение 8 мес.
В табл. 7.3.1 показаны оптические свойства тонких пленок Те и TeSe. Как видно из таблицы, оптические свойства пленок Те не меняются при
Те
.1 TeggSe^
Te9JSe9
» TtMSee
?¦AS25Te6oSe1s Нагреб
Рис. 7.3.4. Элскгромкимикроскопическая фотография Тс- и TeSe-плено^осажденных на подложках из NaCl (а) и стекла (б)
347
Т а б л и ц а 7.3.1. Оптические свойства пленок Те и ТеЬе толщиной 40 нм, сформированных на стеклянной подложке (Л = 830 нм)
Пленка Я, % Т, % а, 7г
Те 49/60 ' 14/14 37/26 Те,,5е, 50/61 14/14 36/25 Те828е1 8 54/63 13/1 3 33/24 Примечания: 1.В числителе - свет падает со стороны подложки; в знаменателе - то же, со стороны пленки. 2. Коэффициент отражения Л; коэффициент пропускания 7"; поглощение а.
Предыдущая << 1 .. 136 137 138 139 140 141 < 142 > 143 144 145 146 147 148 .. 153 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed