Аморфные полупроводники и приборы на их основе - Хамакава Й.
Скачать (прямая ссылка):
9.Sah C.T.: IEEE Trans. Electron Devices, ED l'l (1964) 324. 10.Madan A., LeComber P.G.: Proc. 7th. Conf. on Amorpous and Liquid Semicond.)
Edinburgh, (1977) 377. 11.HiroseM., Suzuki Т., DohlerG.H. - Appl. Phys., Lett., 34, (1979) 234. U.AstD.G., BrodskyM.-H. - Phil. Mag., B41 (1980) 273. 13.LeComber P.G. - Lett., 15 (1979) 179. \4.Hayama H., Matsumura M. - Appl. Phys. Lett., 36 (1980) 754. 15.Powell M.J., EastonB.C, HillO.F. - Appl. Phys. Lett.. 38 (1981) 794. 16.Matsumura H., KanomoriM.. Furukawa S. Electron. Lett., 17 (1981) 457. 17.Matsumura M., Nam Y. - J. Appl. Phys., 51 (1980) 6443.
M.Matsumura M., Nora Y., Uchida Y.: Proc. Int. Electron Device Meeting (1980) 800.
19.Matsumura M., Kuno S., Uchida Y.: Prov. 9th Int. Conf. on Amorphous and Liquid Semicond. (Grenoble, 1982)C4-519.
20.Matsumura M., Kawashima M. - Jpn. J. Appl. Phys., 20 (1981) L414.
21.Powell M.J., Easton B.C., Nicholls D.H.: Proc, 9th Int. Conf. on Amorphous and Liquid Semicond. (Grenoble, 1982)C4-379.
22.StaeblerD.L., WronskiCR. - Appl. Phys. Lett., 31 (1977) 292.
n.Matsumura M., Hayama H.: Proc IEEE, 68 (1980) 1349.
318.
24. LeComber P.G., Spear W.E., Ghaith A. Electron Lett., 15 (1979) 179.
"'S Fukai M., Nagata S. Amorphous Semiconductors Technologies and Devices 1982.
(cd. Y. Hamakawa) (Ohm * North Holland, 1981) 199. Id.Matsui M„ Shiraki Y., Maruyama E. J. Appl. Phys., 53 (1982) 995. 27. Csepregi L., Kennedy E.F., Mayer J. W. - J. Appl. Phys., 49 (1978) 3906. 2S.MisumiA. etal.: IEEE I EDM Technical Digest (1981) 305. 29.MatsuiM. - Digest of 14th Conf. on Solid State Devices (Tokyo, 1982) 141. lO.Oana Y. et al.: Digest of 14th Conf. on Solid State Device (Tokyo, 1982) 139. 31.Nakagawa K. et al: Collected Papers of 2nd Int. Sympo, of Molecular Beam Epitaxy
and Related Clean Surface Techniques (Tokyo, 1 982) 197. 32.Spear W.E., LeComber P.G. - Solid State Commun., 17 (1975) 1193. 33.HiroseM. etal. - J. Non-Cryst. Solids, 35/36 (1980) 297. lA.Murase K., Takeda A., Mizushima Y. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982) 561. 35.Murase K., Amemiya Y., Mizushima Y. Jpn. J. Appl. Phys., 21 (1982) 1559. Ib.Jones D.I., LeConberP.G., Spear W.E. - Philos. Mag., 36 (1977) 541. 37.KumedaM., Shimizu T. - Jpn. J. Appl. Phys., 19 (1980) LI97. IK.MottN.F. - Adv. in Phys. 16 (1967)49.
39.Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sonss. New York, 1969) p. 375.
40.Moll N.F. Philos. Mag., 19 (1969) 835.
41 .Apsley N., Hughes HP. Philos. Mag., 31 ( 1975) 1237.
42.PllakM. etal. - Phys. Rev. Lett., 30 (197 3) 856.
43PollakM. Philos. Mag., 23 (1971) 519.
44.OverhofH. - Phys. Status Solidi (b) 67 (1975) 709.
45.Anderson P. W. Phys. Rev., 109(1958) 1492.
46.Cohen M.H., Fritzsche H., Ovshinsky S.R. Phys. Rev. Lett., 22 (1969) 1065. 47.Smith R.A., ZiasJ.M.: Proc. IEEE/IAS Annual Meeting (1976) 60.
7. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ АМОРФНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
7.1. ФОТОДАТЧИКИ И УСТРОЙСТВА, ФОРМИРУЮЩИЕ ИЗОБРАЖЕНИЯ
Е.МАРУЯМА (Eiichi Maruyama. Central Research Laboratory, Hitachi Ltd.)
Представлен обзор последних разработок, проводившихся в Японии в области фотодатчиков и устройств, формирующих изображения на a-Si : Н. Этот материал обладает высокими характеристиками фотопроводимости и вполне пригоден для создания дискретных, а также интегральных, линейных и поверхностных, датчиков с высокой степенью интеграции. Сообщалось о ряде попыток применить a-Si : Н-фотопроводник для создания линейного фотодатчика контактного типа с целью уменьшения размеров фототелеграфных передатчиков. Характеристики переноса фотогенерированных носителей значительно улучшаются при легировании малым количеством примеси. Композиционный "двухэтажный" фотодатчик обладает прекрасными характеристиками при использовании его в полупроводниковых оптических устройствах.
7.1.1. Преимущества аморфного кремния
Использование аморфных полупроводников представляется многообещающим, особенно при изготовлении фотодатчиков. Интерес к применению аморфного гид-рогенизированного кремния в дискретных и интегральных фотодатчиках постоян-
319
но растет. Преимущества a-Si : Н-материала перед обычными фотопроводниками наподобие CdS состоят в следующем: 1) низкая температура процесса (ниже 300 °С), позволяющая использовать экономичные подложки; 2) возможность получать однородные фотопроводящие пленки большой Ш1ощади; 3) возможность создания р-л-перехода; 4) хорошие спектральные характеристики по отношению к видимому свету; 5) стабильность на воздухе.
В предыдущем томе этой серии (1 ] был описан ряд аморфных фотодатчиков. С тех пор достигнут значительный прогресс, поскольку разработчик"! фотодатчиков и приборов, формирующих изображения, ближе познакомились с процессом производства гидрогенизированных аморфных пленок кремния.
7.1.2. Интегральные цветодатчики
В начале 1982 г. фирма "Sanyo" объявила о создании интегральных цветодатчиков на аморфном кремнии. Это достигалось путем прямого использования солнечных элементов в фотодатчиках.
Структура цветодатчика такого типа показана на рис. 7.1.1. Три p-i-n-фотодиода на аморфном кремнии в каскадном исполнении заключаются между общим прозрачным контактом и отдельными металлически-
