Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Хаджи В.Е. -> "Синтез минералов Том 1" -> 69

Синтез минералов Том 1 - Хаджи В.Е.

Хаджи В.Е. Синтез минералов Том 1 — М.: Недра, 1987. — 487 c.
Скачать (прямая ссылка): sintezmineralovt11987.djvu
Предыдущая << 1 .. 63 64 65 66 67 68 < 69 > 70 71 72 73 74 75 .. 212 >> Следующая


Таким образом, было показано, что полярная диаграмма в близкой окрестности направления [0001] представлена участком сферы (т. е. участком поверхности с положительной кривизной), расположенной внутри «мелкого» несингулярного минимума. Такое локальное строение полярной диаграммы объясняет следующие особенности роста базисной поверхности:

а) образование куполовидных акцессорий, формирующих поверхность типа «булыжная мостовая». Такой рельеф является проявлением неустойчивости на поверхности базиса. Если же в кристалле имеются дислокации с винтовой компонентой, ориен-

155 тированные нормально к поверхности базиса, то на фоне этого рельефа формируются конусовидные акцессории с активными вершинами. При достаточной плотности дислокаций и длительном периоде роста такие акцессории сплошь покрывают базисную поверхность. Можно отметить, что даже на этих акцессориях (особенно на их периферических участках) часто хорошо заметно образование неустойчивостей;

б) образование специфических «бортиков» по ребрам поверхности базиса там, где она пересекается с гранями основных ромбоэдров положительной тригональной дипирамиды или тригональ-ных призм. Действительно, при «конкуренции» различных направлений на границах с перечисленными, относительно медленно растущими гранями, устойчивыми должны быть поверхности, которым на полярной диаграмме соответствуют минимумы, т. е. поверхности, немного отклоняющиеся от плоскости базиса.

3. Седловые точки. К ним относятся: положительная и отрицательная— тригональные призмы и положительная тригональная дипирамида. Как видно на рис. 50, а и б, призмам +х и —х в сечении XZ соответствуют мелкие несингулярные минимумы (аналогично минимуму, характерному для плоскости базиса). В то же время в сечении ху этим направлениям соответствуют

ярко выраженные максимумы. Аналогичная ситуация, очевидно, имеет место и для граней дипирамиды, поскольку в отстоящих от плоскости XZ на 30° по азимуту сечениях yz располагаются два глубоких сингулярных минимума, соответствующих граням основных ромбоэдров. Седловой характер указанных точек определяет своеобразное поведение этих поверхностей в процессе кристаллизации. Если выращивание проводится на затравочной пластине, параллельной какой-либо плоскости г/-зоны, то поверхности перечисленных граней обязательно появляются на кристалле и формируют собственные пирамиды роста. Следует, конечно, помнить, что по мере увеличения размера кристалла упомянутые грани будут постепенно вытесняться медленно растущими сингулярными гранями m, R и z.

Если же затравочная пластина ориентирована параллельно оси г, то поверхности тригональных призм (поскольку им соответствуют направления максимальных — в этом сечении — скоростей) вовсе не появляются на растущем кристалле, исключая, конечно, случай, когда используется затравка среза —х.

4. Направления максимальных скоростей роста, т. е. участки поверхности диаграмы с положительной кривизной. В этих направлениях происходит бурный рост, который в практике выращивания кристаллов принято называть регенерацией. Фронт роста при этом обычно представляет многоглавую или ребристую поверхность, составленную участками граией сложных индексов. Формирующийся кристалл состоит из мозаики различных пирамид роста, что особенно хорошо выявляется по неоднородности распределения дымчатой окраски в облученных образцах. Аналогичная секториальность «второго порядка» проявляется иногда 156 и в пирамидах роста поверхностей третьего типа. Так, например, в у-облученных z-пластинах, вырезанных из пирамид <+*>, наблюдается характерная полосчатость, параллельная одной (или обеим) граничащим плоскостям гексагональной призмы. Аналогичная картина (но уже в рентгеновском контрасте) наблюдается на рентгеновских топографиях таких пластин (см. гл. 4). Происхождение этой полосчатости впервые было объяснено А. А. Штернбергом в 1958 г. В процессе развития неустойчивости на поверхности + л: образуются ступеньки почти нерастущих граней —т. При нормальном продвижении основной поверхности эти ступени перемещаются лишь в тангенциальном направлении, так что на поверхности кристалла все время присутствует входящий угол. Преимущественный захват центров окраски в этих направлениях формирует «паразитные» пирамидки роста п, вытянутые вдоль оси л:, имитирующие своеобразную зонарность кристалла.

Необходимо отметить, что сложное и изменяющееся во времени строение рельефа поверхности приводит к периодическому искривлению ростовых дислокаций в <+.?>. По мере перемещения фронта роста дислокации пересекают различно ориентированные участки поверхности и, стремясь сохранить нормальное к ним положение, меняют свое направление. Именно с этим обстоятельством, а не с изменением условий роста связаны особенности поведения дислокаций в пирамиде < + *>•

Особенности дислокационного строения механизмов роста граней пинакоида и гаксагональной призмы

Как подробно рассмотрено в гл. 4, для поверхности пинакоида в условиях однородного роста, г. е. при отсутствии признаков вырождения с формированием многоглавой поверхности и, как следствие, дефектного («прокольного») строения кристаллов, характерно полицентрическое, ячеистое строение с двумя основными типами рельефа:
Предыдущая << 1 .. 63 64 65 66 67 68 < 69 > 70 71 72 73 74 75 .. 212 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed