Синтез минералов Том 1 - Хаджи В.Е.
Скачать (прямая ссылка):
Как известно, грани положительной тригональной призмы на полярной диаграмме скоростей роста кристалла кварца соответствует седловая точка: в сечении хг ей соответствует минимум, тогда как в сечении, перпендикулярном к оси z,— резкий максимум. Это обстоятельство приводит к неустойчивости этой грани. При малейшем отклонении от точной ориентировки, соответствующей кристаллографической плоскости (1120), на ней появляются ступеньки граней других индексов. Обычно образуются ступеньки сингулярных граней гексагональной призмы и граней положительной тригональной дипирамиды < + s>. По мере нарастания кристалла такие грани образуют «паразитные» пирамиды <+х>. На рис. 21 видно образование «паразитных» пирамид <+s> при наращивании кристаллов по плоскости (1120) в щелочной и фторидной системах соответственно. Хорошо прослеживается укрупнение рельефа по мере роста вследствие слияния более мелких ступенек граней в более крупные. Видно также, что по мере нарастания основной грани <+*> ступеньки < + s> во фторидной системе испытывают значительное тангенциальное смещение, тогда как в щелочной системе такого смещения почти не наблюдается, что объясняется различием соотношений скоростей роста граней +х и +S в указанных двух системах.
При выращивании кристаллов кварца (с использованием затравок Z- или х-среза, удлиненных по оси у) на них часто образуются довольно большие по объему пирамиды роста граней положительных тригональных дипирамид < + s>. Истинный символ этих граней пока не установлен. Измерение их ориентации с помощью прикладного гониометра дает углы, не позволяющие приписать им простой символ. Ближе всего эти поверхности к рациональной плоскости (Г122). Эти пирамиды обычно весьма активно захватывают структурную примесь алюминия и при 98 Рис. 21. Рентгеновские топограммы. Рефлекс 1011. Ув. 2: а —пирамида <+х>-кристалла, выращенного во фторидном растворе; б — псевдозонариость в пирамиде <+х> и <+s>
облучении интенсивно окрашиваются в дымчатый цвет. Обращает на себя внимание несколько необычный характер распределения окраски. При просмотре г/-срезов, приготовленных из таких кристаллов, наряду с истинными четкими зонами сгущения и разряжения дымчатой окраски, которым соответствуют аналогичные зоны в пирамиде <+*>, наблюдаются расплывчатые зонарные полосы. Замечено, что четкость этих полос возрастает при отклонении пластины на некоторый угол от того положения, при котором она обычно рассматривается, т. е. когда луч зрения перпендикулярен к плоскости у. Замечено также, что дымчатая окраска в указанных полосах обладает аномальным плеохроизмом, причем при одной и той же ориентации кристалла некоторые участки имеют зеленоватый, а другие — фиолетовый оттенок. Объяснение этих эффектов было найдено при анализе морфологии поверхности + s. Для этой поверхности характерными формами роста являются «крышеподобные образования» с «коньком крыши», вытянутым перпендикулярно к оси L3. Разные скаты этих «крыш», очевидно, соответствуют участкам пирамиды роста с разными оттенками дымчатой окраски. По мере роста эти образования перемещаются не только в нормальном по отношению к грани s направлении, но испытывают также тангенциальные смещения в направлении оси у. При этом в объеме кристалла остаются следы перемещения этих «скатов» в виде «паразитных» пирамид. Угол наклона этих образований определяется отношением нормальной скорости перемещения к тангенциальной. При пересечении этих образований поверхностью г/-пластины они образуют полочки псевдозонарности.
Предложенная модель подтверждается данными рентгеновской топографии. Приведенная на рис. 21,6 топограмма г/-пластины снималась в ^-рефлексе. Поскольку плоскость дифракции не составляет угол 90° с плоскостью пластины, топограмма представляет не истинное, а несколько искаженное ее изображение. Поэтому границы пирамид роста <+s>/<с> и <+s>/<+x> так же, как и другие секториальные границы, нормальные плоскости пластины, изображаются не одной, а двумя полосами контраста. Эти полосы соответствуют пересечению границ секторов с верхней и нижней поверхностями пластины. В пирамиде <+s> можно рассмотреть пары зонарных контрастных полос, примыкающих соответственно к разным полосам указанных выше пар, соответствующих одной и той же секториальной границе. Тот факт, что расстояние между полосами в каждой зонарной паре значительно больше, чем расстояние между парами секториальной границы, говорит о том, что соответствующие зоны расположены не под прямым, а под острым углом к плоскости пластины.
Бразильские двойники в кристаллах синтетического кварца
Бразильские двойники в кварце представляют собой закономерные срастания правого и левого кварца с параллельным расположением осей 3 и антипараллельным расположением полярных осей 2 в двойниковых индивидах. Они относятся к одному из двух (наряду с дофинейскими двойниками) наиболее распространенных типов двойников в кварце вообще. Широко распространены эти двойники и в. кристаллах синтетического кварца. В последние годы применение метода дифракционного контраста в сочетании с детальным геометрическим анализом структуры кварца позволило построить модель бразильской двойниковой границы и понять условия формирования этих дефектов во время роста кристаллов. К построению модели бразильской двойниковой границы можно подойти двумя путями.
