Синтез минералов Том 1 - Хаджи В.Е.
Скачать (прямая ссылка):
57 Таблица 8
Типы радиационных германиевых и фосфорного центров
Тип центра
Междоузель-ный компенсатор
Главное значение тензора
Главное значение тензора в СТС. IO-' см-'
Оптическое положение, HU
Некоторые особенности центров
[Ge3+ (I)J
[Ge (II) е~]~ [Ge (C)e_/Li]
[Ge (C)e-/Na]
Li+
Na+
gl = 1,994 (77 К)
8г = 2,001 ± 0,001 g3 = 2,002
ST1 = 1,9936 (77 К) g2 = 2,0010 ± 0,0005 gs = 2,0015 gi = 1,9947(77 К) g2 = 1,9988 ± 0,0005 g3 = 2,0014
g! = 1,9959 (300 К) g3 = 1,9970 ± 0,005 gs = 2,0050
CTC от 3 Si" (/ = 1/2) A1 = 1,2 A2 = 2,2±0,2 A3 = 3,6 CTC от Ge73 (/ = 9/2) A1 = —276 Ai = —288± 1 A3 = —279 CTC от Si2' (/ = 1/2)
Плохо разрешается CTC от Li7 (/ = 3/2) А[ =0,76 ±0,1
A2 = 0,07
л; = о,зо
CTC от Ge73 (/ = 9/2) A1 = —308,7 A1 = —294,4 A3 = —295,5 CTC от Nа23 (/ = 3/2) A1 = 0,64 A3 = 0,84 Ai = 0,99
296
270
285
Короткожнвущнй германиевый центр
Неизученный центр
Оси g-тензора н тензора CTC не совпадают
[Ge (H)J
[Ge3+ (A)IU]
[Ge3+ (А) /Na)]
IGe (LiH)] Li»
[Ge (E1)J
H+
Li+
Na+
H+.
[О]
gi = 1,995 (77 К) ST2 = 1,998 ± 0,001 g3 = 2,001
gx = 1,9907 (77 К) g2 = 2,0003 ± 0,0005 g3 = 2,0019
gi = 1,992 (300 К) g2 = 2,000 ± 0,001 g3 = 2,001
gcр = 1,998 (300 К)
gi = 2,0011 g3 = 1,9950 g3 = 1,9939
CTC от H1 (/ = 1/2) A1 = 0,8 ± 0,2 AiC 0,1 At = 0,4
CTC от 3Si29 (/ = 1/2) A1= 1,8 Ai = 2,4 A3 = 3,5
CTC от Li7 (/ = 3/2) A1 = 0,38 Ai = 0,98 ± 0,1 A3 = 0,43
CTC от Ge73 (/ = 9/2) A1 = —278,6 A3 = —295,6 + 0,5 A3 = —282,0
CTC от Si2' (/ = 3/2) A1 = 0,6 Ai= 1,0 ± 0,2 A3 = 0,6
CTC от Ge73 (/ = 9/2) A1 = —270 A3 = —285 ± 1 A3 = —274
CTC от H1 (/ = 3/2)
Лср = 84
CTC от Li7 (/ = 3/2)
Лср = 0,32
CTC от Ge73 (/ = 9/2)
Лср=-217
CTC от Ge73 (/ = 7/2)
CTC от Si29 (/ = 1/2) А\\ = 9,85 Ax = 7,65(1) А\\ = 9,15 Ax = 7,01 (II)
—228
260
272
290
Центры отличаются друг от друга положением и типом компенсирующего иона
Центр вблизи вакансии кислорода о ea .0 о о О. О H
, V eg CX ш X
« к
4 о
5 Й-
« о я ч
xS ?
Ho«
S = s ar а 5 JJ йй S
S
га ъе га а
•г я
5 о
S О-и U
„ S S SS
38
ж
V
ч
V
ч и
0 с
1 S
и
Il
О) О)
О S
* S
U 4» „ Ї*:
я о '
н 5
с о
О в
О H
о
ч и
4 S
ш с »jft
Ф
et * «
Seu
ш 2
5 я
ем ^co
ем
V о О г-
CM
Sil
CM
ю ю
о <
U'
H
U
со"
н о
со "о*
II Il
V
О
I-
O
ем
U
"CC U 1T
CX с.
о и
У о- У
H и H
Ю —
IO ем_ h- 00
« m
S 00
.-O J- СП —.
о
5 ЮО)
в.®*®
Н--05
U Il Il Il
H
Htj H H-hWC-!
и-4; U-tC4CC
X
СО
и
H
и
S.U5 оо ю
с. а. р. 'С'С'ч;
о &
IS
ч
>ч
Ч
CM — см
О CMlO — S СО
оба
OiOlOli см—
- и я
00 OC 00
ю
— см to
— OO 0,0.0. CM CM еч
ю
Oi Oi
00
+ ж
с
S
<о
V
о
V
О
о. С
60 В связи с большим числом германиевых центров целесообразно дать краткое описание условий их образования. Центры Ge (I) (здесь и далее используется общепринятая классификация германиевых центров), получившие также название короткожнвущих, возникают непосредственно в процессе облучения или наблюдаются в течение 20—30 ч после облучения. Этот центр — предшественник германий-щелочного центра, к которому щелочной ион еще не подошел. Такие центры по истечении указанного времени практически целиком переходят в германиево-щелочные (частично они распадаются из-за малой термической устойчивости) и могут быть стабилизированы охлаждением образцов до температур ниже 100 К, когда процесс диффузии существенно замедляется. Указанные центры не наблюдаются в образцах, в которых имеются преимущественно германиево-водородные или германиево-литиево-водородные центры, поскольку последние образуются непосредственно в процессе роста, а не в результате диффузии указанных ионов. Следует отметить, что если короткоживущие германиевые центры относятся к триклинным к™ = 6, то все германиево-щелочные— к моноклинным (Аа = 3), и этот переход можно наблюдать на экране осциллографа ЭПР-спектрометра. Поскольку все компенсаторы, входящие в состав германиевых центров, располагаются по оси второго порядка, такие центры, естественно, относятся к моноклинным. Примечательным является тот факт, что изменение локальной симметрии «чувствуется» активным центром задолго до подхода иона-компенсатора. В зависимости от иона-компенсатора (Na+, Li+) и его положения в структурном канале различают Ge (Л)- и Ge (С)-литиевые и натриевые центры, причем если первые получены путем электролиза, то вторые — непосредственно в кристаллах, выращенных в натриевых системах. Кроме того, в табл. 8 приведены спектроскопические данные Ge-центров вблизи вакансий и дивакан-сий кислорода и кремния: эти центры наблюдались в германий-содержащих кварцах, подвергавшихся реакторному облучению. О природе центра, обозначенного в табл. 8 как Ge (II), практически ничего не известно, а центры Ge (H) и Ge (Li2H) образуются, как уже говорилось, без процесса диффузии ионов-компен-саторов и являются своеобразными ростовыми дефектами.
