Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Химия -> Гончаров А.И -> "Химическая технология, ч. 1." -> 26

Химическая технология, ч. 1. - Гончаров А.И

Гончаров А.И, Середа И.П Химическая технология, ч. 1. — Киев, издательское объединение «Вища школа», 1979. — 288 c.
Скачать (прямая ссылка): goncharoff1.djv
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 133 >> Следующая


Цр - промя п'ярятяттія PJn1TTPHy1 ПрЯМв- ВІДНОВДЄННЯ -НІТробеНЗОЛу B

анілін і т. д. Каталітичні реакції в газовому стані можна проводити безперервно, циклічно, з мінімальними витратами ізгювною автоматизацією процесів. " " ~~ " ~~

"Хоч підвищення температури позитивно позначається на хіміко-технологічному процесі, застосування високих температур для його інтенсифікації часто обмежується різними технологічними і економічними факторами: швидким досягненням рівноваги екзотермічних реакцій, матеріалами апаратури і економічно невигідними витратами енергії для нагрівання реагуючих компонентів.

ТИдипкігтк rPTPprfpppHn^njTjTnjiTPpy пропорційна питомій ПОВерХНІ

/ / /

7 6 5

Рис. 7. Башта з насадкою:

/ — зірка — розбризкувач рідини; 2 — кор« пус; 3 — футеровка; 4 — стальний кожух; 5 — шдпора колосникової ґратки, 6 — колосники; 7 — днище, 8 — насадка

Дотику фаз

де и — швидкість реакції; F • пропорційності.

kF,

(55)

питома поверхня; k — коефіцієнт

Газ (пара)

Рідина

Газ(пара)

Газ (пара)

Редина

Рис. 8. Сітчаста барботаж-на колона:

1 — сітчаста тарілка, 2 — зливний поріг; з — переливна труба; 4 — гідравлічний затвор

Рис. 9. Ковпачкова барботажна колона:

/ — ковпачкова тарілка; 2 — ковпачок, з — переливна труба

Питома шиТуня — це відношення абсолютної поверхні до одиниці маси або об'єму тієї фа-Рідина, зи> яка містить реагент. • ^L—- Збільшення поверхні контактування фаз в технології досягається різними способами залежно від виду системи: Г — Р, Г — Т, P — Т, P-P (які не змішуються) і T — Т, а також залежно від температури, тиску, концентрації та каталізатора, який використовують в цьому процесі.

Спосіб збільшення поверхні контактування визначає конструкцію апаратів до даної агрегатної системи. _В__ухіх-

збільпптти "^гювег^ню

Газ (пара,

Г — Р, тому що легша фаза в усіх поверхню важкої фази. Поверхню розподілом рідини у вигляді тонкої плівки на поверхні різних насадок, якими заповнюють реакційний об'єм апарата. Рідина розбризкується по всьому перетину башти, змочує всю поверхню насадки і стікає протитоком до газу, який рухається знизу вгору, як, наприклад, при виробництві H2SO4 (рис. 7).

Як насадку найчастіше застосовують кільця з сталі або кераміки різних розмірів і форм. Такі башти дуже поширені у виробництві H2SO4, HNO3, HCl та інших кислот, при переробці палива, в органічному синтезі та ін. В інших випадках збільшення поверхні дотику досягають пневматичним або механічним розпиленням рідини, або барботажем (пробулькуванням) газу через шар рідини в колонах з сіт-

втгжчот2_Д&зц — твердої в системах Г — T1P — T і рідкої в системі типах апаратів обмиває

рідкої фази

збільшують Газ

Рідина

Рис. 10. Пінний

апарат:

j — гратка; 2 — приймальна коробка; з — зливний поріг, 4 — коробка для відробленої піни

Гарчав

гюоїіпрд

c

Щ Випалюбаль-

JP ний газ

Повітрр для

спатобання колчедану

' ПоЬилря для охолодження балу Рис. 11. Механічна випалювальна піч ВХЗ:

/ — живильник, 2 — живильна тарілка, 3 — обертовий вал; 4 -склепіннях; 6 — вихідна труба для недогарка, 7

гребки; 5 - привод.

отвори у

частими тарілками чи ковпачковими тарілками (рис. 8; рис. 9). Барботажні колони працюють інтенсивніше, ніж башти з насадкою, але в них створюється великий гідравлічний опір газовому потоку. Tjyd__ciT4eeTi—або—говттачкеві—башти—япстоспрують^гіглі^дистиляції, ^«гп^лул^я^гг^^мі і япгорбції ra.qjR тя інпіюс__процесах~.T

- Дуже ефективним, простим і економічним способом розвитку поверхні контактування реагуючих фаз вважають створення шіару

_Г>ухомоі піни», крізь який пропускається газ знизу вгору через гратку в пінному апараті (рис. 10). Інтенсивним перемішуванням фаз маленькими бульбашками газу і безперервним оновленням поверхні рідини усувається дифузійний опір і зростає коефіцієнт масопередачі або теплопередачі.

a S 6

Рис. 12. Реактори з фільтруючим і киплячим шаром:

/ — корпус апарата; 2 — розподільча гратка; 3 — нерухомий або фільтруючий шар; 4 —

киплячий шар.

У системах Г — TiP — T більша площа контактування фаз досягається подрібненням твердого матеріалу або застосуванням невеликих і пористих кусків та гранул, в яких внутрішня поверхня пор набагато може перевищувати зовнішню поверхню кусків. Оновлення поверхні контактування в таких випадках досягається перемішуванням твердого матеріалу механічними мішалками на полицях апарата. Прикладом такого типу агрегатів у системі Г — Те випалювальні печі, показані на рис. 11. їх широко застосовують для випалення сульфідних руд у сірчанокислотній, металургійній і інших промисловостях.

Найкраще перемішування тонко подрібненого твердого матеріалу, при якому площа контактування наближається до максимальної, досягається в печах для випалення в завислому (або киплячому) шарі, де кожна частинка твердого матеріалу обмивається газом (рис. 12).

Колошникові топки, іонообмінні фільтри, шахтні печі, поличні контактні апарати належать до фільтрувальних апаратів, в яких газ або рідина проходять через нерухомий шар кусків або гранул твердого матеріалу. В них обмивається лише та частина поверхні, яка не стикається з іншими кусками чи гранулами. Реактори з фільтруючим шаром твердого зернистого матеріалу прості, надійні в роботі і тому найбільш поширені в промисловості. Проте за інтенсивністю вони поступаються перед реакторами з киплячим шаром.
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 133 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed