Рост алмаза и графита из газовой фазы - Дерягин Б.В.
Скачать (прямая ссылка):
Основными преимуществами лучистого нагрева являются следующие.
1. Возможность проведения экспериментов в контролируемой газовой среде, когда нагревается локально лишь небольшой участок затравки.
2. Практическая безынерциоиность нагрева.
3. Возможность концентрации очень высокой мощности на ограниченном участке.
Действительно, возьмем случай, когда на непроводящее волокно, например сапфировое, необходимо нанести покрытие из газовой фазы при высокой температуре. Прежде всего возникает вопрос о нагреве подложки в заданной среде. Омический и индукционный нагревы волокна в этих условиях не подходят. Из традиционных методов возможен лишь кондуктивный, когда вся среда, в котором находится волокно, будет нагрета до температуры подложки. Одна-
110
ко при этом возникают два осложнения. Во-первых, хотя надо нагреть только поверхность волокна, экспериментатор будет вынужден нагревать несравненно больший объем, и даже при использовании сразу многих волокон неудобство не снимается. Во-вторых, в газовой фазе при высоких температурах могут развиться гомогенные реакции, что повлияет на ее химический состав.
При использовании лучистого нагрева подобные осложнения не возникают. При этом можно получать самые тугоплавкие покрытия в установке, сделанной из стекла. В качестве иллюстрации на рис. 61 приведена фотография покрытия из двуокиси титана (рутила), нанесенного на плохопроводящую подложку. Отметим, что в зависимости от условий могут быть получены покрытия с различными кристаллическими свойствами. Таким образом, в настоящее время не только доказана сама возможность синтеза алмаза из газовой фазы, но и исследованы многие закономерности его роста. Выявлены основные области практического использования наращивания затравочных алмазных кристаллов. На очередь встают новые вопро-"" сы и из них самый главный: переход от алмазной подложки к другим, инородным, подложкам. В принципе рост алмаза из газовой фазы на неалмазных подложках возможен, задача сводится к нахождению оптимальных условий этого процесса. Теоретической основой этого направления исследований служит теория образования и роста новой фазы в сочетании с теориями кинетики адсорбции и химической кинетики.
Непосредственно в изучении кристаллизации алмаза из газовой фазы усилия исследователей будут направлены на разработку более общей теории совместной кристаллизации алмаза и графита с целью выбооа условий для предотвращения выделения последнего.
ЛИТЕРАТУРА
1. Б. В. Дерягин, Д. В. Федосеев. Успехи химии, 39, 1161 (1970).
2. Б. В. Дерягин, В. Н. Бакуль, Д. В. Федосеев. BicHHK АН УССР, № 5, 80 (1971).
3. Сб. «Поверхностные силы в тонких пленках и дисперсных системах». Под ред. Б. В. Деря-гина. М., «Наука», 1972.
4. Б. В. Дерягин, Д. В. Федосеев, Б. В. Спицын, О. В. Спирин. В сб. «Физико-химические проблемы кристаллизации», вып. 2.« Алма-Ата, Изд-во КазГУ, 1971, стр. 24; Б. В. Дерягин, Д. В. Федосеев, О. В. Спирин. ТЭХ, 6, 824 (1970).
5. Д. Хирс, Г. Паунд. Испарение^ и конденсация. М., «Металлургия», 1966.
6. Р. Ф. Стрикленд-Констэбл. Кинетика и механизм кристаллиза-« ции. Л., «Недра», 1971.
7. А. А. Чернов. В сб. «Физико-химические проблемы кристаллиза-а ции». Алма-Ата, Изд-во КазГУ, 1969, стр. 8.
8. Р. Лодиз, Р. Паркер. Рост монокристаллов. М., «Мир», 1974.
9. Л. С. Палатник, М. Я- Фукс, В. М. Косеет. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М., «Наука», 1972.
10. Б. В. Дерягин. ТЭХ, 9, 471 (1973).
11. В. V- Deriaguin. J. Chem. Phys., 61, 3664 (1974).
12. Я- Б. Зельдович. ЖЭТФ, 12, 525 (1942).
13. Я- И. Френкель. Кинетическая теория жидкостей. М., Изд-во АН СССР, 1945; ТЖТФ, 9, 192 (1939).
14. Д. В. Федосеев. ТЭХ, 10, 176 (1974).
15. В. V. Deriaguin. J. Colloid and Interface Science, 38, 517 (1972).
16. В. В. Карасев, H. A. Kpomoea, Б. В. Дерягин. ДАН СССР, 88, 777 (1953).
17. В. V. Der]aguin, R. Green-Kelly. Trans. Faraday Soc, 60, 449 (1964).
18. H. В. Чураев. В сб. «Успехи коллоидной химии», М., «Наука», 1973, стр. 169; Н. В. Чураев. В сб. «Поверхностные силы в тонких пленках и устойчивость коллоидов». М., «Наука», 1974, стр. 90.
19. Б. В. Дерягин, Ю. М. Поповский. ДАН СССР, 159, 89 (1964); 175, 385 (1967); 207, 1153 (1972).
20. В. В. Карасев, Б. В. Дерягин. ЖФХ, 33, 100 (1959).
21. Д. В. Федосеев, В. П. Варнин, Б. В. Дерягин. ДАН СССР, 193, 1290 (1970I.
22. В. П. Варнин, Д. В. Федосеев, Б. В. Дерягин. В сб. «Физико-химические проблемы кристаллизации», вып. 2. Алма-Ата, Изд-во КазГУ, 1971, стр. 18.
23. Б. Хонигман. Рост и форма кристаллов. М., ИЛ, 1961. *
24. Л. А. Боровинский, Р. П. Во-^ ронцова. В сб. «Рост кристаллов». М., «Наука», 1968.
25. Сб. «Химические и физические а свойства углерода». Под ред. Ф. Уокера. М., ИЛ, 1969.
26. П. А. Теснер. Образование углерода из углеводородов газовой фазы. М., «Химия», 1972.
27. Д. В. Федосеев, С. П. Внуков. ДАН СССР, 209, 1162 (1973).
28. Д. В. Федосеев, С. П. Внуков,
B. П. Варнин. ДАН СССР, 215, 151 (1974).
29. П. А. Теснер, И. С. Рофалькес. ДАН СССР, 80, 401 (1951).
