Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. Том 1 - Гоулдстей Дж.
Скачать (прямая ссылка):
прямо пропорциональны числу импульсов характеристической линии. Хотя
такие предположе-
Глава 7
ния и могут быть справедливы для тканей и клеток с большим содержанием
органической матрицы, нет причины полагать, что любое из этих
предположений должно быть справедливым для клеток и тканей, внеклеточное
пространство которых содержит изменяющиеся количества воды и органической
матрицы, а внутриклеточное пространство содержит мало либо вообще не
содержит органической матрицы.
Дальнейшие исследования [201] установили связь между массовыми долями в
сухом состоянии и во влажном. Массовая доля в сухом состоянии (Сг)сух
выражается в виде
(^i)cyx "
S/[S+K{[(/B)M/(/a)cy3C]-S}], (7.88)
где (/в) сух и (1в)вл - интенсивность непрерывного излучения в сухом и
влажном состоянии соответственно. Фактор 5 - фактор усадки, который можно
рассчитать как
5=(Л)вл/(Л) сух. (7.89)
где (/;) вл И (/г)сух - интенсивности характеристического рентгеновского
излучения любого элемента до и после сушки. Фактор усадки включается в
уравнение, поскольку в процессе сушки могут происходить значительные (до
40%) изменения размеров тканей. Такая сушка будет приводить к увеличению
массы на единицу площади и, следовательно, к увеличению сигнала
непрерывного излучения.
Фактор У вносит поправку па любые различия в значениях G(Z2/A) между
влажным и высушенным состояниями, и его можно рассчитать делением
значения G для сухой органической матрицы (обычно 3,2) на значение G для
воды (3,67). Были проделаны различные измерения до и после обезвоживания
на соседних участках объекта, так как было обнаружено, что при повторном
анализе уже облученных областей пучок может приводить к сильному их
повреждению. Массовая доля во влажном состоянии (Ci)вл получается из
соотношения (Сг)вл=1- (С;)сух. Схема расчета по методу с использованием
непрерывного излучения приводится в приложении А. Различные рабочие
примеры даются в приложении В.
7.7.7. Толстые образцы на очень тонких подложках
Для тонких образцов на очень тонкой подложке, при возможном исключении
для некоторых легких элементов, поглощение рентгеновского излучения в
образце обычно пренебрежимо мало, поскольку средний атомный номер и
сечение поглощения рентгеновского излучения для мягких тканей низки. Было
обнаружено [178, 183], что низкоэнергетическое непрерывное излучение
поглощается в срезах подвергнутого лиофильной сушке
Количественный рентгеновский микроанализ
85
материала толщиной более 1,0 мкм и для учета этого в количественном
расчете были введены небольшие поправки. Эти данные и тот факт, что
толщина высушенных мофильной сушкой срезов составляет примерно '/з
толщины их замороженного в гидратированном состоянии аналога, накладывает
верхний предел на толщины, когда можно пренебречь поглощением: около 4
мкм для замороженных в гидратированном состоянии срезов и около 1,5 мкм
для высушенных лиофильной сушкой и залитых смолой материалов. Было
найдено [201], что для коррекции поглощения в полностью гидратированном
срезе толщиной 1 мкм всю регистрируемую интенсивность излучения натрия
необходимо умножить на фактор 1,3. Там же был разработан простой способ
расчета поправок на поглощение, а также метод оценки массы на единицу
площади при использовании тонкой пленки известного состава и толщины.
Используемый эталон представлял собой пленку поликар-бонатной пластмассы,
поставляемой фирмой "Сименс", толщиной 2 мкм, покрытую слоем алюминия
известной толщины.
Были выполнены раздельные измерения на образце и эталоне при постоянных
токах пучка и временах счета. Массу на единицу площади в образце можно
измерить, используя следующее уравнение:
Mi = (IB/IiB))(M)(Gii)lGi), (7.90)
где /в и 1(в) - исправленные интенсивности непрерывного излучения от
образца и эталона, (М)-масса на единицу площади в эталоне, a G<ц и G,
определены в уравнении (7.82) как поправочные факторы, учитывающие
различия в генерации непрерывного излучения в образце и эталоне. Другая
процедура для расчета массовой толщины приводится в [189]. В [203, 204]
предлагается отчасти более простой способ, основанный на измерении
интенсивности характеристического пика и степени ослабления первичного
пучка после прохождения сквозь образец. В этом методе интенсивность /"
электронного пучка, проходящего через объект с массовой толщиной рt,
связана с начальной интенсивностью /0 следующим выражением:
In = I0exp(So5aipt), (7.91)
где 5общ - общее сечение рассеяния электронов, которое постоянно в
ограниченном диапазоне массовых толщин. Если только можно независимым
способом измерить 5общ, измерения интенсивностей падающего и прошедшего
электронных пучков позволяют рассчитать массовую толщину из соотношения
pf=:ln(/0//n)/So6l4. (7.92)
Эти интенсивности могут быть легко измерены с помощью
экспонометра/фотометра, имеющегося в большинстве просвечч-
86
Глава 7
вающих микроскопов и/или детекторов прошедших электронов, установленных в
растровых электронных микроскопах. В недавно опубликованной работе [205]
