Научная литература
booksshare.net -> Добавить материал -> Биология -> Данилов В.И. -> "Электронные представления в теории точенных мутаций" -> 22

Электронные представления в теории точенных мутаций - Данилов В.И.

Данилов В.И., Квенцель Г.Ф. Электронные представления в теории точенных мутаций — К.: Наука думка, 1971. — 84 c.
Скачать (прямая ссылка): elektronniepredstavleniya1971.djvu
Предыдущая << 1 .. 16 17 18 19 20 21 < 22 > 23 24 25 26 27 28 .. 29 >> Следующая

1,779 0,908 (Т) 2,086 0,877 (Ц)
-0,265 (Т)
2,771 0,851 (А) 2,204 0,931 (Г)
-0.208(A)
также всех однократно возбужденных конфигураций, проведено в [204—2066].
Результаты расчетов [206] для пяти первых синглетных возбужденных и двух первых триплетных состояний пар А — Т и Г — Ц приведены в табл. 16. Таблица содержит энергии (ДЕ) и силы осцилляторов (/) синглетных переходов, а также коэффициенты Х^к разложения состояний по конфигурациям, значения которых больше или равны 0,2.
Из таблицы видно, что в возбужденные состояния пар входят, в большей или меньшей мере, конфигурации различных типов. Поэтому возбужденные состояния не могут быть строго отнесены к тому или иному типу возбуждения, что имело место для отдельных конфигураций. Тем не менее, для большинства состояний (и, прежде всего, для триплетных) можно найти одну доминирующую конфигурацию, вхо-
63
дящую с наибольшим весом и указывающую на происхождение состояния.
При рассмотрении самых низких по энергии синглетных возбужденных состояний пары А — Т видно, что первые четыре из них построены в основном из одних и тех же конфигураций, образуя тем самым заметно выделенную группу. Кроме того, энергетические уровни в этой группе расположены довольно тесно (расстояние между соседними уровнями 0,07—0,24 эв).
Аналогичная ситуация, но еще более ярко выраженная, имеет место для трех низших синглетных уровней пары Г—Ц: соответствующие им состояния построены главным образом из трех первых по энергии конфигураций; расстояние между уровнями в группе составляет 0,22 и 0,08 эв, а четвертый уровень отделен от третьего промежутком в 0,45 эв.
Энергетическая обособленность нескольких самых низших уровней в каждой паре и то, что взаимодействие конфигураций приводит к их смешиванию главным образом в пределах этой группы,—два безусловно взаимосвязанных факта, на основании которых естественно привести в соответствие выделенную группу уровней и первую полосу поглощения пары. Энергия возбуждения обеих пар в состояние
находится и в количественном соответствии с положением первой полосы поглощения ДНК.
При рассмотрении структуры состояния или 7\ каждой из пар (табл. 16) обращает на себя внимание то, что в него с наибольшим весом входит конфигурация без переноса заряда. Вклад конфигураций с переносом заряда (:=: | |2)
очень мал; в первом триплетном состоянии он ничтожен. Этот результат не является неожиданным: выше нами было показано, что в одноконфигурационном приближении самым низким по энергии является не состояние + 1, а состояние с локализацией возбуждения на одном из оснований пары.
Тот факт, что в каждое из первых двух триплетных состояний обеих пар конфигурация с переносом заряда п -> -> п + 1 входит с весом, почти равным нулю, обусловлен промежутком в несколько электроновольт, отделяющим ее энергию от энергии конфигурации с возбуждением в одном основании.
Уже это качественное рассмотрение позволяет судить о характере распределения возбуждения в парах. Видно,
64
Таблица 17
Электронные и спиновые плотности на атомах пар оснований в различных состояниях
Атом А- т г- Ц
PIS.) P(Si) Р(Г.) е р&.) PtSt) Р(Тг) Q
1 1,281 1,289 1,281 0,000 1,805 1,831 1.804 0,000
2 0,821 0.812 0,821 0,000 0,825 1,006 0,825 0,000
3 1,261 1,261 1,261 0,000 1,323 1,205 1,323 0,000
4 0,932 0,927 0,932 0,000 0.963 1,018 0,963 0,000
5 1,041 1,012 1,041 0,000 1,059 0,946 1,059 0,000
6 0,841 0,867 0,841 0,000 0,743 0,821 0,743 0,000
7 1,278 1,282 1,278 0,000 1,253 1,223 1,253 0,000
8 0,889 0,891 0,889 0,000 0,922 0,852 0,922 0,000
9 1,772 1,771 1,772 0,000 1,760 1,797 1,760 0,000
10 1,884 1,863 1,883 0,001 1,870 1,846 1,869 0,001
11 1,838 1,860 1,850 0,019 1,475 1,416 1,475 0,000
12 0,736 0,760 0,734 0,005 1,330 1,321 1.246 0,266
13 1,834 1,662 1,806 0,100 0,733 0,739 0,747 0,034
14 0,994 1,016 1,092 0,781 1,798 1,801 1,810 0,128
15 0,997 0,750 0,880 0,674 0,899 0,926 1,107 0,721
16 0,737 1,047 0,850 0,139 1,081 1,076 0,918 0,534
17 1,432 1,549 1,362 0,270 0,790 0,825 0,905 0,135
18 1,434 1,380 1,426 0,010 1,862 1,861 1,880 0,027
19 --- --- --- - 1,507 1,489 1.390 0,154
что б состоянии Т1 возбуждение преимущественно локализовано на пиримидиновом основании; в то же время в состоянии Sj возбуждение в основном локализовано на пуриновом основании пары Г — Ц и пиримидиновом — пары А —Т.
Более полную информацию о свойствах возбужденных состояний можно получить в результате изучения электронных (Р) и спиновых (р) плотностей на атомах и порядков связей в парах [206а]. В табл. 17 и 18 приведены значения этих величин для состояний S0, Sx и Tv
Полученные значения спиновых плотностей и порядков связей в состоянии Т1 обеих пар показывают, что возбуждение полностью локализовано на пиримидиновом основании, преимущественно на связи С14 — С16 пары А — Т и С15 — С16 пары Г —Ц (см. рис. 1). Характеристики состояния 7\ пары А — Т описывают соответствующее состояние поли- (А, Т), а также ДНК, так как в работе [170] показано, что фосфоресценция ДНК обусловлена тимином.
Предыдущая << 1 .. 16 17 18 19 20 21 < 22 > 23 24 25 26 27 28 .. 29 >> Следующая

Реклама

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed

Есть, чем поделиться? Отправьте
материал
нам
Авторские права © 2009 BooksShare.
Все права защищены.
Rambler's Top100

c1c0fc952cf0704ad12d6af2ad3bf47e03017fed